ویفرهای سیلیکون کاربید سیلیکون 6 اینچی 150 میلی‌متری نوع 4H-N برای تحقیقات تولید MOS یا SBD و گرید Dummy

شرح مختصر:

زیرلایه تک کریستالی کاربید سیلیکون ۶ اینچی، ماده‌ای با کارایی بالا و خواص فیزیکی و شیمیایی عالی است. این زیرلایه که از مواد تک کریستالی کاربید سیلیکون با خلوص بالا ساخته شده است، رسانایی حرارتی، پایداری مکانیکی و مقاومت در برابر دمای بالا را به نمایش می‌گذارد. این زیرلایه که با فرآیندهای تولید دقیق و مواد با کیفیت بالا ساخته شده است، به ماده‌ای ترجیحی برای ساخت دستگاه‌های الکترونیکی با راندمان بالا در زمینه‌های مختلف تبدیل شده است.


ویژگی‌ها

زمینه‌های کاربردی

زیرلایه تک کریستالی ۶ اینچی کاربید سیلیکون نقش حیاتی در صنایع مختلف ایفا می‌کند. اولاً، این زیرلایه به طور گسترده در صنعت نیمه‌هادی برای ساخت دستگاه‌های الکترونیکی پرقدرت مانند ترانزیستورهای قدرت، مدارهای مجتمع و ماژول‌های قدرت استفاده می‌شود. رسانایی حرارتی بالا و مقاومت در برابر دمای بالا، اتلاف حرارت بهتری را ممکن می‌سازد و در نتیجه راندمان و قابلیت اطمینان را بهبود می‌بخشد. ثانیاً، ویفرهای کاربید سیلیکون در زمینه‌های تحقیقاتی برای توسعه مواد و دستگاه‌های جدید ضروری هستند. علاوه بر این، ویفر کاربید سیلیکون کاربردهای گسترده‌ای در زمینه الکترونیک نوری، از جمله ساخت LEDها و دیودهای لیزری، دارد.

مشخصات محصول

زیرلایه تک کریستالی کاربید سیلیکون ۶ اینچی قطری معادل ۶ اینچ (تقریباً ۱۵۲.۴ میلی‌متر) دارد. زبری سطح Ra < 0.5 نانومتر و ضخامت آن ۶۰۰ ± ۲۵ میکرومتر است. این زیرلایه را می‌توان بر اساس نیاز مشتری با رسانایی نوع N یا نوع P سفارشی‌سازی کرد. علاوه بر این، پایداری مکانیکی فوق‌العاده‌ای از خود نشان می‌دهد و قادر به تحمل فشار و ارتعاش است.

قطر ۱۵۰±۲.۰ میلی‌متر (۶ اینچ)

ضخامت

۳۵۰ میکرومتر ± ۲۵ میکرومتر

جهت گیری

در محور: <0001> ±0.5°

محور خارج از محور: ۴.۰ درجه به سمت ۱۱۲۰±۰.۵ درجه

پلی‌تایپ 4H

مقاومت (Ω·cm)

4H-N

0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm

4/6H-SI

>1E5

جهت گیری مسطح اولیه

{10-10} ±5.0 درجه

طول مسطح اولیه (میلی‌متر)

۴۷.۵ میلی‌متر ± ۲.۵ میلی‌متر

لبه

چمفر

TTV/Bow/Warp (ام)

≤15 /≤40 /≤60

جبهه AFM (Si-face)

لهستانی Ra≤1 نانومتر

CMP Ra≤0.5 نانومتر

LTV

≤3μm (10mm * 10mm)

≤5μm (10mm * 10mm)

≤10μm (10mm * 10mm)

تی تی وی

≤5μm

≤10μm

≤15μm

پوست پرتقالی/چاله‌ها/ترک‌ها/آلودگی/لکه‌ها/خط و خش‌ها

هیچکدام هیچکدام هیچکدام

تورفتگی‌ها

هیچکدام هیچکدام هیچکدام

زیرلایه تک کریستالی کاربید سیلیکون ۶ اینچی، ماده‌ای با کارایی بالا است که به طور گسترده در صنایع نیمه‌هادی، تحقیقات و اپتوالکترونیک مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ماده رسانایی حرارتی عالی، پایداری مکانیکی و مقاومت در برابر دمای بالا را ارائه می‌دهد و آن را برای ساخت دستگاه‌های الکترونیکی پرقدرت و تحقیقات مواد جدید مناسب می‌سازد. ما مشخصات و گزینه‌های سفارشی‌سازی متنوعی را برای برآوردن خواسته‌های متنوع مشتریان ارائه می‌دهیم.برای اطلاعات بیشتر در مورد ویفرهای کاربید سیلیکون با ما تماس بگیرید!

نمودار تفصیلی

وی چت IMG569_ (1)
وی چت IMG569_ (2)

  • قبلی:
  • بعدی:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید