4 اینچ SiC Wafers 6H نیمه عایق SiC بسترهای اولیه، تحقیقاتی و ساختگی

توضیح کوتاه:

زیرلایه کاربید سیلیکون نیمه عایق با برش، سنگ زنی، پرداخت، تمیز کردن و سایر فناوری های پردازش پس از رشد کریستال کاربید سیلیکون نیمه عایق تشکیل می شود.یک لایه یا لایه کریستالی چند لایه بر روی بستر رشد می کند که شرایط کیفی را به عنوان اپیتاکسی برآورده می کند و سپس دستگاه RF مایکروویو با ترکیب طرح مدار و بسته بندی ساخته می شود.به صورت زیرلایه های تک کریستال سیلیکون کاربید نیمه عایق شده 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ صنعتی، تحقیقاتی و آزمایشی موجود است.

برای ما ایمیل بفرستید

جزئیات محصول

برچسب های محصول

مشخصات محصول

مقطع تحصیلی			درجه تولید MPD صفر (درجه Z)			درجه تولید استاندارد (درجه P)		درجه ساختگی (درجه D)
قطر			99.5 میلی متر ~ 100.0 میلی متر
	4H-SI		20±500 میکرومتر			25±500 میکرومتر
جهت گیری ویفر			خارج از محور: 4.0 درجه به سمت < 1120 > 0.5 ± درجه برای 4H-N، در محور: <0001>±0.5 درجه برای 4H-SI
	4H-SI		≤1 سانتی متر^-2			≤5 سانتی متر^-2		≤15 سانتی متر^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
جهت گیری مسطح اولیه		{10-10} ± 5.0 درجه
طول تخت اولیه		32.5 میلی متر ± 2.0 میلی متر
طول تخت ثانویه		18.0 میلی متر ± 2.0 میلی متر
جهت گیری تخت ثانویه		سیلیکون رو به بالا: 90 درجه سانتی‌وات.از تخت نخست ± 5.0 درجه
حذف لبه		3 میلی متر
LTV / TTV / کمان / Warp		≤3μm/≤5μm/≤15μm/≤30μm						≤10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm
خشونت			C صورت				لهستانی		Ra≤1 نانومتر
			صورت سی	CMP	Ra≤0.2 نانومتر					Ra≤0.5 نانومتر
ترک لبه توسط نور با شدت بالا		هیچ یک						طول تجمعی ≤ 10 میلی متر، تک طول ≤2 میلی متر
صفحات شش گوش با نور با شدت بالا		سطح تجمعی ≤0.05٪						سطح تجمعی ≤0.1٪
نواحی پلی تایپ با نور با شدت بالا		هیچ یک						سطح تجمعی≤3٪
اجزای کربن بصری		سطح تجمعی ≤0.05٪						سطح تجمعی ≤3٪
خراش های سطح سیلیکونی توسط نور با شدت بالا		هیچ یک						طول تجمعی≤1＊قطر ویفر
تراشه های لبه با شدت نور بالا		هیچ کدام بیش از 0.2 میلی متر عرض و عمق مجاز نیستند						5 عدد مجاز، هر کدام ≤1 میلی متر
آلودگی سطحی سیلیکونی با شدت بالا		هیچ یک
بسته بندی		کاست چند ویفر یا ظرف ویفر تک