ویفرهای 2 اینچی SiC 6H یا 4H نیمه عایق بستر SiC Dia50.8mm

ویفرهای 2 اینچی SiC 6H یا 4H نیمه عایق SiC بسترهای Dia50.8mm تصویر ویژه

توضیح کوتاه:

کاربید سیلیکون (SiC) یک ترکیب دوتایی از گروه IV-IV است، این تنها ترکیب جامد پایدار در گروه IV جدول تناوبی عناصر است، این یک نیمه هادی مهم است.SiC دارای خواص حرارتی، مکانیکی، شیمیایی و الکتریکی بسیار خوبی است که آن را به یکی از بهترین مواد برای ساخت دستگاه های الکترونیکی با دمای بالا، فرکانس بالا و توان بالا تبدیل می کند.

برای ما ایمیل بفرستید

جزئیات محصول

برچسب های محصول

استفاده از بستر کاربید سیلیکون

بستر کاربید سیلیکون را می توان با توجه به مقاومت به نوع رسانا و نیمه عایق تقسیم کرد.دستگاه های کاربید سیلیکون رسانا عمدتاً در وسایل نقلیه الکتریکی، تولید برق فتوولتائیک، حمل و نقل ریلی، مراکز داده، شارژ و سایر زیرساخت ها استفاده می شود.صنعت خودروهای الکتریکی تقاضای زیادی برای بسترهای کاربید سیلیکون رسانا دارد و در حال حاضر، تسلا، BYD، NIO، Xiaopeng و دیگر شرکت‌های خودروهای انرژی‌های جدید برای استفاده از دستگاه‌ها یا ماژول‌های گسسته کاربید سیلیکون برنامه‌ریزی کرده‌اند.

دستگاه های کاربید سیلیکون نیمه عایق عمدتاً در ارتباطات 5G، ارتباطات وسیله نقلیه، برنامه های دفاع ملی، انتقال داده، هوا فضا و سایر زمینه ها استفاده می شود.با رشد لایه اپیتاکسیال نیترید گالیوم بر روی بستر نیمه عایق کاربید سیلیکون، ویفر همپای گالیوم نیترید مبتنی بر سیلیکون را می توان بیشتر به دستگاه های RF مایکروویو تبدیل کرد که عمدتاً در زمینه RF استفاده می شوند، مانند تقویت کننده های قدرت در ارتباطات 5G و آشکارسازهای رادیویی در دفاع ملی

تولید محصولات بستر کاربید سیلیکون شامل توسعه تجهیزات، سنتز مواد خام، رشد کریستال، برش کریستال، پردازش ویفر، تمیز کردن و آزمایش، و بسیاری از پیوندهای دیگر است.از نظر مواد اولیه، صنعت Songshan Boron مواد خام کاربید سیلیکون را برای بازار فراهم می کند و به فروش دسته ای کوچک دست یافته است.نسل سوم مواد نیمه هادی که توسط کاربید سیلیکون نشان داده می شود، نقش کلیدی در صنعت مدرن بازی می کنند، با تسریع نفوذ وسایل نقلیه انرژی جدید و کاربردهای فتوولتائیک، تقاضا برای بستر کاربید سیلیکون در آستانه ایجاد یک نقطه عطف است.