ویفر زیرلایه SiC 4H-N 4 اینچ تولید کاربید سیلیکون درجه پژوهش ساختگی
برنامه های کاربردی
ویفرهای تک کریستال کاربید سیلیکون 4 اینچی نقش مهمی در بسیاری از زمینه ها دارند.اولاً، به طور گسترده در صنعت نیمه هادی ها در تهیه دستگاه های الکترونیکی پرقدرت مانند ترانزیستورهای قدرت، مدارهای مجتمع و ماژول های قدرت استفاده می شود.رسانایی حرارتی بالا و مقاومت در برابر دمای بالا آن را قادر می سازد تا گرما را بهتر دفع کند و کارایی و قابلیت اطمینان بیشتری را ارائه دهد.ثانیا، ویفرهای کاربید سیلیکون نیز در زمینه تحقیقاتی برای انجام تحقیقات بر روی مواد و دستگاه های جدید استفاده می شود.علاوه بر این، ویفرهای کاربید سیلیکون نیز به طور گسترده در اپتوالکترونیک، مانند ساخت led و دیودهای لیزری استفاده می شود.
مشخصات ویفر 4 اینچی SiC
قطر ویفر تک‌کریستال کاربید سیلیکون 4 اینچی 4 اینچ (حدود 101.6 میلی‌متر)، پرداخت سطح تا Ra <0.5 نانومتر، ضخامت 25±600 میکرومتر.رسانایی ویفر از نوع N یا نوع P است و بر اساس نیاز مشتری قابل تنظیم است.علاوه بر این، تراشه همچنین دارای ثبات مکانیکی عالی است، می تواند مقدار مشخصی از فشار و لرزش را تحمل کند.
اینچ ویفر بستر تک کریستال کاربید سیلیکون یک ماده با کارایی بالا است که به طور گسترده در زمینه های نیمه هادی، تحقیقات و الکترونیک نوری استفاده می شود.دارای هدایت حرارتی عالی، پایداری مکانیکی و مقاومت در برابر دمای بالا است که برای تهیه دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و تحقیق در مورد مواد جدید مناسب است.ما انواع مشخصات و گزینه های سفارشی سازی را برای پاسخگویی به انواع نیازهای مشتری ارائه می دهیم.لطفا برای کسب اطلاعات بیشتر در مورد اطلاعات محصول ویفرهای سیلیکون کاربید به سایت مستقل ما توجه کنید.
کارهای کلیدی: ویفرهای کاربید سیلیکون، ویفرهای تک کریستال کاربید سیلیکون، 4 اینچ، هدایت حرارتی، پایداری مکانیکی، مقاومت در برابر دمای بالا، ترانزیستورهای قدرت، مدارهای مجتمع، ماژول‌های قدرت، LED، دیودهای لیزر، پرداخت سطح، رسانایی، گزینه‌های سفارشی
نمودار تفصیلی
