صفحه اصلی
شرکت
درباره Xinkehui
محصولات
لایه لایه
محصولات نوری
لایه
LiTaO3_LiNbO3
یاقوت کبود
SiC
سیلیکون
کریستال سنگ مصنوعی
حامل ویفر
اخبار
مخاطب
English
صفحه اصلی
محصولات
لایه
SiC
SiC
تولید تحقیق ویفر 4H-N/6H-N SiC با درجه ساختگی Dia150mm بستر کاربید سیلیکون
4 اینچ SiC Wafers 6H نیمه عایق SiC بسترهای اولیه، تحقیقاتی و ساختگی
ویفر 6 اینچی زیرلایه HPSI SiC ویفرهای SiC نیمه توهین آمیز سیلیکون کاربید
ویفرهای SiC 4 اینچی نیمه توهینآمیز بستر HPSI SiC درجه تولید اولیه
ویفر زیرلایه 4H-Semi SiC 3 اینچی 76.2 میلی متری ویفرهای SiC نیمه توهین آمیز سیلیکون کاربید
بسترهای 3 اینچی Dia76.2mm SiC HPSI Prime Research و Dummy Grade
ویفر زیرلایه SiC 4H-نیمه HPSI 2 اینچی تولید ساختگی درجه پژوهشی ساختگی
ویفرهای 2 اینچی SiC 6H یا 4H نیمه عایق بستر SiC Dia50.8mm
ویفر زیرلایه SiC 4H-N 8 اینچ سیلیکون کاربید ساختگی درجه پژوهشی ضخامت 500um
8 اینچ 200 میلی متر سیلیکون کاربید سی سی ویفر نوع 4H-N درجه تولید ضخامت 500 میلی متر
ویفرهای 6 اینچی 150 میلیمتری سیلیکون کاربید SiC نوع 4H-N برای تحقیقات تولید MOS یا SBD و درجه ساختگی
ویفرهای سیلیکون کاربید 2 اینچی 6H یا 4H نوع N یا زیرلایه های SiC نیمه عایق
1
2
بعدی >
>>
صفحه 1/2
برای جستجو اینتر یا برای بستن ESC را بزنید
English
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur