ویفرهای سیلیکون کاربید ۲ اینچی، زیرلایه‌های SiC نوع N یا نیمه عایق ۶H یا ۴H

شرح مختصر:

کاربید سیلیکون (SiC) که با نام کربوراندوم نیز شناخته می‌شود، یک نیمه‌رسانا حاوی سیلیکون و کربن با فرمول شیمیایی SiC است. SiC در دستگاه‌های الکترونیکی نیمه‌رسانا که در دماهای بالا یا ولتاژهای بالا یا هر دو کار می‌کنند، استفاده می‌شود. SiC همچنین یکی از اجزای مهم LED است، یک بستر محبوب برای رشد دستگاه‌های GaN است و همچنین به عنوان پخش‌کننده گرما در LEDهای پرقدرت عمل می‌کند.

برای ما ایمیل ارسال کنید

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

محصولات پیشنهادی

ویفر 4H SiC نوع N

قطر: ۲ اینچ ۵۰.۸ میلی‌متر | ۴ اینچ ۱۰۰ میلی‌متر | ۶ اینچ ۱۵۰ میلی‌متر

جهت: خارج از محور ۴.۰˚ به سمت <۱۱۲۰> ± ۰.۵˚

مقاومت ویژه: <0.1 اهم.سانتی متر

زبری: سی-فیس CMP Ra <0.5nm، سی-فیس صیقل نوری Ra <1nm

ویفر 4H SiC نیمه عایق

قطر: ۲ اینچ ۵۰.۸ میلی‌متر | ۴ اینچ ۱۰۰ میلی‌متر | ۶ اینچ ۱۵۰ میلی‌متر

جهت: روی محور {0001} ± 0.25˚

مقاومت ویژه: >1E5 اهم.سانتی متر

زبری: سی-فیس CMP Ra <0.5nm، سی-فیس صیقل نوری Ra <1nm

۱. زیرساخت 5G -- منبع تغذیه ارتباطی

منبع تغذیه ارتباطی، پایه انرژی برای ارتباط سرور و ایستگاه پایه است. این منبع تغذیه، انرژی الکتریکی لازم برای تجهیزات انتقال مختلف را فراهم می‌کند تا عملکرد عادی سیستم ارتباطی تضمین شود.

۲. شمع شارژ خودروهای انرژی نو -- ماژول برق شمع شارژ

با استفاده از کاربید سیلیکون در ماژول قدرت شمع شارژ، می‌توان به راندمان و توان بالای ماژول قدرت شمع شارژ دست یافت، به طوری که سرعت شارژ بهبود یافته و هزینه شارژ کاهش می‌یابد.

۳. مرکز داده بزرگ، اینترنت صنعتی - منبع تغذیه سرور

منبع تغذیه سرور، منبع تغذیه سرور است. سرور، برق مورد نیاز برای عملکرد عادی سیستم سرور را فراهم می‌کند. استفاده از قطعات برق سیلیکون کاربید در منبع تغذیه سرور می‌تواند چگالی توان و راندمان منبع تغذیه سرور را بهبود بخشد، حجم کل مرکز داده را کاهش دهد، هزینه کلی ساخت مرکز داده را کاهش دهد و به راندمان زیست‌محیطی بالاتری دست یابد.

۴. Uhv - کاربرد بریکرهای مدار DC انتقال انعطاف‌پذیر

۵. راه‌آهن پرسرعت بین شهری و حمل و نقل ریلی بین شهری -- مبدل‌های کششی، ترانسفورماتورهای الکترونیک قدرت، مبدل‌های کمکی، منابع تغذیه کمکی