ویفر سیلیسیم دی اکسید ویفر SiO2 با ضخامت جلا، درجه اول و تست

ویفر سیلیسیم دی اکسید ویفر SiO2 با ضخامت جلا، تصویر ویژه درجه اول و آزمایشی

توضیح کوتاه:

اکسیداسیون حرارتی نتیجه قرار دادن ویفر سیلیکونی در معرض ترکیبی از عوامل اکسید کننده و گرما برای ایجاد لایه ای از دی اکسید سیلیکون (SiO2) است.ضخامت لایه اکسید، فشردگی، یکنواختی و جهت گیری کریستالی مقاومت همگی مطابق با استانداردهای ملی اجرا شده است.

برای ما ایمیل بفرستید

جزئیات محصول

برچسب های محصول

معرفی جعبه ویفر

تولید - محصول	ویفرهای اکسید حرارتی (Si+SiO2).
روش تولید	LPCVD
پرداخت سطح	SSP/DSP
قطر	2 اینچ / 3 اینچ / 4 اینچ / 5 اینچ / 6 اینچ
تایپ کنید	نوع P / نوع N
ضخیم شدن لایه اکسیداسیون	100 نانومتر ~ 1000 نانومتر
گرایش	<100> <111>
مقاومت الکتریکی	0.001-25000 (Ω•cm)
کاربرد	مورد استفاده برای حامل نمونه تشعشع سنکروترون، پوشش PVD/CVD به عنوان بستر، نمونه رشد کندوپاش مگنترون، XRD، SEM،نیروی اتمی، طیف‌سنجی مادون قرمز، طیف‌سنجی فلورسانس و سایر بسترهای آزمایشی آنالیز، بسترهای رشد همپای پرتو مولکولی، تجزیه و تحلیل اشعه ایکس نیمه‌رساناهای کریستالی

ویفرهای اکسید سیلیکون فیلم‌های دی اکسید سیلیکونی هستند که با استفاده از اکسیژن یا بخار آب در دمای بالا (800 درجه سانتیگراد تا 1150 درجه سانتیگراد) با استفاده از فرآیند اکسیداسیون حرارتی با تجهیزات لوله کوره تحت فشار اتمسفر روی سطح ویفرهای سیلیکونی رشد می‌کنند.ضخامت فرآیند از 50 نانومتر تا 2 میکرون متغیر است، دمای فرآیند تا 1100 درجه سانتیگراد است، روش رشد به دو نوع "اکسیژن مرطوب" و "اکسیژن خشک" تقسیم می شود.اکسید حرارتی یک لایه اکسید "رشد" است که دارای یکنواختی بالاتر، چگالی بهتر و استحکام دی الکتریک بالاتر نسبت به لایه های اکسید رسوب شده CVD است که در نتیجه کیفیت برتری دارد.

اکسیداسیون اکسیژن خشک

سیلیکون با اکسیژن واکنش می دهد و لایه اکسید دائماً به سمت لایه زیرلایه حرکت می کند.اکسیداسیون خشک باید در دماهای 850 تا 1200 درجه سانتیگراد با نرخ رشد کمتر انجام شود و می توان از آن برای رشد دروازه عایق شده MOS استفاده کرد.هنگامی که به یک لایه اکسید سیلیکون با کیفیت بالا و فوق نازک نیاز است، اکسیداسیون خشک بر اکسیداسیون مرطوب ترجیح داده می شود.ظرفیت اکسیداسیون خشک: 15 نانومتر تا 300 نانومتر.

2. اکسیداسیون مرطوب

در این روش از بخار آب برای تشکیل یک لایه اکسید با ورود به لوله کوره در شرایط دمای بالا استفاده می شود.تراکم اکسیداسیون اکسیژن مرطوب کمی بدتر از اکسیداسیون اکسیژن خشک است، اما مزیت آن در مقایسه با اکسیداسیون اکسیژن خشک این است که نرخ رشد بالاتری دارد، مناسب برای رشد فیلم بیش از 500 نانومتر.ظرفیت اکسیداسیون مرطوب: 500nm~2μm.

لوله کوره اکسیداسیون فشار اتمسفر AEMD یک لوله کوره افقی چک است که با ثبات فرآیند بالا، یکنواختی فیلم خوب و کنترل ذرات برتر مشخص می شود.لوله کوره اکسید سیلیکون می تواند تا 50 ویفر در هر لوله را با یکنواختی عالی درون و بین ویفرها پردازش کند.