سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی سی ویفر 4H-N 6H-N HPSI ( خلوص بالا نیمه عایق ) 4H/6H-P 3C -n نوع 2 3 4 6 8 اینچ موجود
خواص
4H-N و 6H-N (ویفرهای SiC نوع N)
کاربرد:در درجه اول در الکترونیک قدرت، اپتوالکترونیک و کاربردهای دما بالا استفاده می شود.
محدوده قطر:50.8 میلی متر تا 200 میلی متر.
ضخامت:25 ± 350 میکرومتر، با ضخامت اختیاری 25 ± 500 میکرومتر.
مقاومت:نوع N 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω· سانتی متر (درجه Z)، ≤ 0.3 Ω· سانتی متر (درجه P). نوع N 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (درجه Z)، ≤ 1 mΩ·cm (درجه P).
زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر (CMP یا MP).
تراکم میکرولوله (MPD):< 1 ea/cm².
TTV: ≤ 10 میکرومتر برای تمام قطرها.
پیچ و تاب: ≤ 30 میکرومتر (≤ 45 میکرومتر برای ویفرهای 8 اینچی).
حذف لبه:3 تا 6 میلی متر بسته به نوع ویفر.
بسته بندی:کاست چند ویفر یا ظرف ویفر تک.
سایز موجود دیگر 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
HPSI (ویفرهای SiC نیمه عایق با خلوص بالا)
کاربرد:برای دستگاه‌هایی که به مقاومت بالا و عملکرد پایدار نیاز دارند، مانند دستگاه‌های RF، برنامه‌های فوتونیکی و حسگرها استفاده می‌شود.
محدوده قطر:50.8 میلی متر تا 200 میلی متر.
ضخامت:ضخامت استاندارد 25 ± 350 میکرومتر با گزینه هایی برای ویفرهای ضخیم تر تا 500 میکرومتر.
زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر.
تراکم میکرولوله (MPD): ≤ 1 ea/cm².
مقاومت:مقاومت بالا، معمولاً در کاربردهای نیمه عایق استفاده می شود.
پیچ و تاب: ≤ 30 میکرومتر (برای اندازه های کوچکتر)، ≤ 45 میکرومتر برای قطرهای بزرگتر.
TTV: ≤ 10 میکرومتر.
سایز موجود دیگر 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
4H-P،6H-P&3C ویفر SiC(ویفرهای SiC نوع P)
کاربرد:در درجه اول برای دستگاه های برق و فرکانس بالا.
محدوده قطر:50.8 میلی متر تا 200 میلی متر.
ضخامت:350 میکرومتر ± 25 میکرومتر یا گزینه های سفارشی.
مقاومت:نوع P 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω· سانتی متر (درجه Z)، ≤ 0.3 Ω· سانتی متر (درجه P).
زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر (CMP یا MP).
تراکم میکرولوله (MPD):< 1 ea/cm².
TTV: ≤ 10 میکرومتر.
حذف لبه:3 میلی متر تا 6 میلی متر
پیچ و تاب: ≤ 30 میکرومتر برای اندازه های کوچکتر، ≤ 45 میکرومتر برای اندازه های بزرگتر.
سایز موجود دیگر 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ5×5 10×10
جدول پارامترهای داده جزئی
| اموال | 2 اینچ | 3 اینچ | 4 اینچ | 6 اینچ | 8 اینچ | |||
| تایپ کنید | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C؛ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C؛ | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | |||
| قطر | 0.3 ± 50.8 میلی متر | 0.3±76.2 میلی متر | 100±0.3 میلی متر | 0.3±150 میلی متر | 0.3 ± 200 میلی متر | |||
| ضخامت | 25 ± 330 م | 350 ± 25 um | 350 ± 25 um | 350 ± 25 um | 350 ± 25 um | |||
| 25±350 میکرومتر | 25±500 میلی متر | 25±500 میلی متر | 25±500 میلی متر | 25±500 میلی متر | ||||
| یا سفارشی | یا سفارشی | یا سفارشی | یا سفارشی | یا سفارشی | ||||
| زبری | Ra ≤ 0.2 نانومتر | Ra ≤ 0.2 نانومتر | Ra ≤ 0.2 نانومتر | Ra ≤ 0.2 نانومتر | Ra ≤ 0.2 نانومتر | |||
| پیچ و تاب | ≤ 30 میلی متر | ≤ 30 میلی متر | ≤ 30 میلی متر | ≤ 30 میلی متر | ≤45 میلی متر | |||
| تی تی وی | ≤ 10 میلی متر | ≤ 10 میلی متر | ≤ 10 میلی متر | ≤ 10 میلی متر | ≤ 10 میلی متر | |||
| خراش / حفاری | CMP/MP | |||||||
| MPD | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | |||
| شکل | گرد، مسطح 16 میلی متر، طول 22 میلی متر؛ OF Length 30/32.5mm; طول 47.5 میلی متر؛ NOTCH; NOTCH; | |||||||
| اریب | 45 درجه، مشخصات نیمه; شکل C | |||||||
| درجه | درجه تولید برای MOS&SBD. نمره تحقیق؛ درجه ساختگی، درجه ویفر بذر | |||||||
| اظهارات | قطر، ضخامت، جهت، مشخصات فوق را می توان بنا به درخواست شما سفارشی کرد | |||||||
برنامه های کاربردی
·الکترونیک قدرت
ویفرهای SiC نوع N به دلیل توانایی آنها در کنترل ولتاژ بالا و جریان بالا در دستگاه های الکترونیکی قدرت بسیار مهم هستند. آنها معمولاً در مبدل های قدرت، اینورترها و محرک های موتور برای صنایعی مانند انرژی های تجدیدپذیر، وسایل نقلیه الکتریکی و اتوماسیون صنعتی استفاده می شوند.
· اپتوالکترونیک
مواد SiC نوع N، به ویژه برای کاربردهای الکترونیک نوری، در دستگاه‌هایی مانند دیودهای ساطع نور (LED) و دیودهای لیزری استفاده می‌شوند. رسانایی حرارتی بالا و شکاف باند وسیع آنها را برای دستگاه های اپتوالکترونیکی با کارایی بالا ایده آل می کند.
·برنامه های کاربردی در دمای بالا
ویفرهای 4H-N 6H-N SiC به خوبی برای محیط‌های با دمای بالا، مانند حسگرها و دستگاه‌های قدرت مورد استفاده در هوافضا، خودرو و کاربردهای صنعتی که اتلاف گرما و پایداری در دماهای بالا حیاتی است، مناسب هستند.
·دستگاه های RF
ویفرهای 4H-N 6H-N SiC در دستگاه های فرکانس رادیویی (RF) که در محدوده فرکانس بالا کار می کنند استفاده می شود. آنها در سیستم‌های ارتباطی، فناوری رادار و ارتباطات ماهواره‌ای، که در آن به راندمان و عملکرد بالا نیاز است، استفاده می‌شوند.
·کاربردهای فوتونیک
در فوتونیک، ویفرهای SiC برای دستگاه‌هایی مانند آشکارسازهای نوری و تعدیل‌کننده‌ها استفاده می‌شوند. خواص منحصر به فرد این ماده به آن اجازه می دهد تا در تولید نور، مدولاسیون و تشخیص در سیستم های ارتباطی نوری و دستگاه های تصویربرداری موثر باشد.
·حسگرها
ویفرهای SiC در انواع کاربردهای حسگر، به ویژه در محیط‌های سخت که ممکن است مواد دیگر از کار بیفتند، استفاده می‌شوند. اینها شامل سنسورهای دما، فشار و شیمیایی است که در زمینه هایی مانند خودرو، نفت و گاز و نظارت بر محیط زیست ضروری هستند.
·سیستم های محرک خودروهای الکتریکی
فناوری SiC با بهبود کارایی و عملکرد سیستم‌های محرک نقش مهمی در خودروهای الکتریکی ایفا می‌کند. با استفاده از نیمه هادی های قدرت SiC، وسایل نقلیه الکتریکی می توانند به عمر باتری بهتر، زمان شارژ سریع تر و بهره وری انرژی بیشتر دست پیدا کنند.
·حسگرهای پیشرفته و مبدل های فوتونیک
در فن‌آوری‌های حسگر پیشرفته، ویفرهای SiC برای ایجاد حسگرهای با دقت بالا برای کاربردهای رباتیک، دستگاه‌های پزشکی و نظارت بر محیط‌زیست استفاده می‌شوند. در مبدل‌های فوتونیک، از خواص SiC برای فعال کردن تبدیل کارآمد انرژی الکتریکی به سیگنال‌های نوری، که در زیرساخت‌های مخابراتی و اینترنت پرسرعت حیاتی است، استفاده می‌شود.
پرسش و پاسخ
Q:4H در 4H SiC چیست؟
A："4H" در 4H SiC به ساختار کریستالی کاربید سیلیکون، به طور خاص یک فرم شش ضلعی با چهار لایه (H) اشاره دارد. "H" نوع چند تایپ شش ضلعی را نشان می دهد و آن را از سایر پلی تایپ های SiC مانند 6H یا 3C متمایز می کند.
Qرسانایی حرارتی 4H-SiC چیست؟
Aرسانایی حرارتی 4H-SiC (سیلیکون کاربید) تقریباً 490-500 W/m·K در دمای اتاق است. این رسانایی حرارتی بالا آن را برای کاربردهای الکترونیک قدرت و محیط‌های با دمای بالا، که در آن اتلاف گرمای کارآمد بسیار مهم است، ایده‌آل می‌کند.
