English

ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ

ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ تصویر ویژه
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ
  • ویفر SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-نیمه 6H-نیمه 4H-P 6H-P 3C نوع 2 اینچ 3 اینچ 4 اینچ 6 اینچ 8 اینچ

شرح مختصر:

ما طیف متنوعی از ویفرهای SiC (کاربید سیلیکون) با کیفیت بالا را ارائه می‌دهیم، با تمرکز ویژه بر ویفرهای نوع N 4H-N و 6H-N که برای کاربردهایی در الکترونیک نوری پیشرفته، دستگاه‌های قدرت و محیط‌های با دمای بالا ایده‌آل هستند. این ویفرهای نوع N به دلیل رسانایی حرارتی استثنایی، پایداری الکتریکی برجسته و دوام قابل توجه خود شناخته شده‌اند و آنها را برای کاربردهای با کارایی بالا مانند الکترونیک قدرت، سیستم‌های محرک وسایل نقلیه الکتریکی، اینورترهای انرژی تجدیدپذیر و منابع تغذیه صنعتی ایده‌آل می‌کنند. علاوه بر پیشنهادات نوع N، ما ویفرهای نوع P 4H/6H-P و 3C SiC را نیز برای نیازهای تخصصی، از جمله دستگاه‌های فرکانس بالا و RF و همچنین کاربردهای فوتونیک ارائه می‌دهیم. ویفرهای ما در اندازه‌های 2 اینچ تا 8 اینچ موجود هستند و ما راه‌حل‌های سفارشی برای برآورده کردن نیازهای خاص بخش‌های مختلف صنعتی ارائه می‌دهیم. برای جزئیات بیشتر یا سوالات، لطفاً با ما تماس بگیرید.


ویژگی‌ها

خواص

4H-N و 6H-N (ویفرهای SiC نوع N)

کاربرد:عمدتاً در الکترونیک قدرت، اپتوالکترونیک و کاربردهای دما بالا استفاده می‌شود.

محدوده قطر:۵۰.۸ میلی‌متر تا ۲۰۰ میلی‌متر.

ضخامت:۳۵۰ میکرومتر ± ۲۵ میکرومتر، با ضخامت‌های اختیاری ۵۰۰ میکرومتر ± ۲۵ میکرومتر.

مقاومت ویژه:نوع N 4H/6H-P: ≤ 0.1 اهم·سانتی‌متر (رده Z)، ≤ 0.3 اهم·سانتی‌متر (رده P)؛ نوع N 3C-N: ≤ 0.8 میلی اهم·سانتی‌متر (رده Z)، ≤ 1 میلی اهم·سانتی‌متر (رده P).

زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر (CMP یا MP).

تراکم میکروپایپ (MPD):کمتر از ۱ اونس بر سانتی‌متر مربع.

تی‌وی: ≤ 10 میکرومتر برای همه قطرها.

تار و پود: ≤ 30 میکرومتر (≤ 45 میکرومتر برای ویفرهای 8 اینچی).

حذف لبه:۳ میلی‌متر تا ۶ میلی‌متر بسته به نوع ویفر.

بسته بندی:کاست چند ویفری یا ظرف تک ویفری.

سایر اندازه‌های موجود: ۳ اینچ، ۴ اینچ، ۶ اینچ، ۸ اینچ

HPSI (ویفرهای SiC نیمه عایق با خلوص بالا)

کاربرد:برای دستگاه‌هایی که نیاز به مقاومت بالا و عملکرد پایدار دارند، مانند دستگاه‌های RF، کاربردهای فوتونیک و حسگرها، استفاده می‌شود.

محدوده قطر:۵۰.۸ میلی‌متر تا ۲۰۰ میلی‌متر.

ضخامت:ضخامت استاندارد ۳۵۰ میکرومتر ± ۲۵ میکرومتر با گزینه‌هایی برای ویفرهای ضخیم‌تر تا ۵۰۰ میکرومتر.

زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر.

تراکم میکروپایپ (MPD): ≤ ۱ واحد بر سانتی‌متر مربع.

مقاومت ویژه:مقاومت بالا، معمولاً در کاربردهای نیمه عایق استفاده می‌شود.

تار و پود: ≤ 30 میکرومتر (برای اندازه‌های کوچک‌تر)، ≤ 45 میکرومتر برای قطرهای بزرگ‌تر.

تی‌وی: ≤ 10 میکرومتر.

سایر اندازه‌های موجود: ۳ اینچ، ۴ اینچ، ۶ اینچ، ۸ اینچ

4H-P،6H-Pو3C ویفر SiC(ویفرهای SiC نوع P)

کاربرد:در درجه اول برای دستگاه‌های قدرت و فرکانس بالا.

محدوده قطر:۵۰.۸ میلی‌متر تا ۲۰۰ میلی‌متر.

ضخامت:۳۵۰ میکرومتر ± ۲۵ میکرومتر یا گزینه‌های سفارشی.

مقاومت ویژه:نوع P 4H/6H-P: ≤ 0.1 اهم·سانتی‌متر (درجه Z)، ≤ 0.3 اهم·سانتی‌متر (درجه P).

زبری:Ra ≤ 0.2 نانومتر (CMP یا MP).

تراکم میکروپایپ (MPD):کمتر از ۱ اونس بر سانتی‌متر مربع.

تی‌وی: ≤ 10 میکرومتر.

حذف لبه:۳ میلی‌متر تا ۶ میلی‌متر.

تار و پود: ≤ 30 میکرومتر برای اندازه‌های کوچک‌تر، ≤ 45 میکرومتر برای اندازه‌های بزرگ‌تر.

اندازه‌های موجود: ۳ اینچ، ۴ اینچ، ۶ اینچ5×۵ ۱۰×10

جدول پارامترهای داده‌های جزئی

ملک

۲ اینچ

۳ اینچ

۴ اینچ

۶ اینچ

۸ اینچ

نوع

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C؛

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C؛

۴H-N/HPSI//۴H/۶H-P/۳C;

۴H-N/HPSI//۴H/۶H-P/۳C;

4H-N/HPSI/4H-نیمه

قطر

۵۰.۸ ± ۰.۳ میلی‌متر

۷۶.۲±۰.۳ میلی‌متر

۱۰۰±۰.۳ میلی‌متر

۱۵۰±۰.۳ میلی‌متر

۲۰۰ ± ۰.۳ میلی‌متر

ضخامت

۳۳۰ ± ۲۵ ام

۳۵۰ ±۲۵ ام

۳۵۰ ±۲۵ ام

۳۵۰ ±۲۵ ام

۳۵۰ ±۲۵ ام

۳۵۰±۲۵ ام

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

یا سفارشی

یا سفارشی

یا سفارشی

یا سفارشی

یا سفارشی

زبری

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

وارپ

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

تی تی وی

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

خراشیدن/کندن

CMP/MP

ام پی دی

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

شکل

گرد، تخت ۱۶ میلی‌متر؛ به طول ۲۲ میلی‌متر؛ به طول ۳۰/۳۲.۵ میلی‌متر؛ به طول ۴۷.۵ میلی‌متر؛ بریدگی؛ بریدگی؛

مورب

۴۵ درجه، مشخصات نیمه‌تمام؛ شکل C

 درجه

گرید تولیدی برای MOS و SBD؛ گرید تحقیقاتی؛ گرید آزمایشی، گرید ویفر بذری

اظهارات

قطر، ضخامت، جهت، مشخصات فوق را می‌توان بنا به درخواست شما سفارشی‌سازی کرد

 

کاربردها

·الکترونیک قدرت

ویفرهای SiC نوع N به دلیل توانایی‌شان در تحمل ولتاژ و جریان بالا، در دستگاه‌های الکترونیک قدرت بسیار مهم هستند. آن‌ها معمولاً در مبدل‌های قدرت، اینورترها و درایوهای موتور برای صنایعی مانند انرژی‌های تجدیدپذیر، وسایل نقلیه الکتریکی و اتوماسیون صنعتی استفاده می‌شوند.

· الکترونیک نوری
مواد SiC نوع N، به ویژه برای کاربردهای اپتوالکترونیکی، در دستگاه‌هایی مانند دیودهای ساطع‌کننده نور (LED) و دیودهای لیزری به کار می‌روند. رسانایی حرارتی بالا و شکاف باند وسیع آنها، آنها را برای دستگاه‌های اپتوالکترونیکی با کارایی بالا ایده‌آل می‌کند.

·کاربردهای دما بالا
ویفرهای SiC 4H-N و 6H-N برای محیط‌های با دمای بالا، مانند حسگرها و دستگاه‌های قدرت مورد استفاده در هوافضا، خودرو و کاربردهای صنعتی که در آنها اتلاف گرما و پایداری در دماهای بالا بسیار مهم است، بسیار مناسب هستند.

·دستگاه‌های RF
ویفرهای SiC 4H-N 6H-N در دستگاه‌های فرکانس رادیویی (RF) که در محدوده فرکانس بالا کار می‌کنند، استفاده می‌شوند. آن‌ها در سیستم‌های ارتباطی، فناوری رادار و ارتباطات ماهواره‌ای، که در آن‌ها به راندمان و عملکرد بالای توان نیاز است، کاربرد دارند.

·کاربردهای فوتونیک
در فوتونیک، ویفرهای SiC برای دستگاه‌هایی مانند آشکارسازهای نوری و مدولاتورها استفاده می‌شوند. خواص منحصر به فرد این ماده به آن اجازه می‌دهد تا در تولید، مدولاسیون و تشخیص نور در سیستم‌های ارتباطی نوری و دستگاه‌های تصویربرداری مؤثر باشد.

·حسگرها
ویفرهای SiC در کاربردهای متنوعی از حسگرها، به‌ویژه در محیط‌های سخت که ممکن است سایر مواد در آن‌ها شکست بخورند، استفاده می‌شوند. این کاربردها شامل حسگرهای دما، فشار و شیمیایی می‌شود که در زمینه‌هایی مانند خودرو، نفت و گاز و نظارت بر محیط زیست ضروری هستند.

·سیستم‌های محرکه خودروهای برقی
فناوری SiC با بهبود راندمان و عملکرد سیستم‌های محرک، نقش مهمی در خودروهای الکتریکی ایفا می‌کند. با نیمه‌رساناهای قدرت SiC، خودروهای الکتریکی می‌توانند به عمر باتری بهتر، زمان شارژ سریع‌تر و راندمان انرژی بیشتر دست یابند.

·حسگرهای پیشرفته و مبدل‌های فوتونی
در فناوری‌های پیشرفته حسگر، ویفرهای SiC برای ایجاد حسگرهای با دقت بالا برای کاربردهای رباتیک، دستگاه‌های پزشکی و نظارت بر محیط زیست استفاده می‌شوند. در مبدل‌های فوتونی، از خواص SiC برای تبدیل کارآمد انرژی الکتریکی به سیگنال‌های نوری استفاده می‌شود که در زیرساخت‌های مخابرات و اینترنت پرسرعت بسیار حیاتی است.

پرسش و پاسخ

Q4H در 4H SiC چیست؟
Aعبارت "4H" در عبارت 4H SiC به ساختار کریستالی کاربید سیلیکون، به طور خاص به شکل شش ضلعی با چهار لایه (H) اشاره دارد. "H" نوع پلی تیپ شش ضلعی را نشان می‌دهد و آن را از سایر پلی تیپ‌های SiC مانند 6H یا 3C متمایز می‌کند.

Qرسانایی حرارتی 4H-SiC چقدر است؟
Aرسانایی حرارتی 4H-SiC (کاربید سیلیکون) در دمای اتاق تقریباً 490-500 W/m·K است. این رسانایی حرارتی بالا، آن را برای کاربردهایی در الکترونیک قدرت و محیط‌های با دمای بالا، که در آنها اتلاف حرارت کارآمد بسیار مهم است، ایده‌آل می‌کند.

  • قبلی:
  • بعدی:

    • محصولات مرتبط

    پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید
    برای جستجو اینتر و برای بستن ESC بزنید