تولید تحقیق ویفر 4H-N/6H-N SiC با درجه ساختگی Dia150mm بستر کاربید سیلیکون

توضیح کوتاه:

ما می توانیم بستر فیلم نازک ابررسانا با دمای بالا، لایه های نازک مغناطیسی و بستر فیلم نازک فروالکتریک، کریستال نیمه هادی، کریستال نوری، مواد کریستال لیزری را ارائه دهیم، در عین حال جهت گیری، برش کریستال، سنگ زنی، پرداخت و سایر خدمات پردازش را ارائه دهیم.بسترهای SiC ما از کارخانه Tankeblue در چین می آیند.

برای ما ایمیل بفرستید

جزئیات محصول

برچسب های محصول

مشخصات زیرلایه کاربید سیلیکون (SiC) با قطر 6 اینچ

مقطع تحصیلی	MPD صفر	تولید	درجه تحقیق	درجه ساختگی
قطر	150.0mm±0.25mm
ضخامت	4H-N	350 ± 25 میلی متر
	4H-SI	500 ± 25 میلی متر
جهت گیری ویفر	روی محور:<0001>±0.5 درجه برای 4H-SI خارج از محور: 4.0 درجه به سمت <1120> 0.5 ± درجه برای 4H-N
تخت اولیه	{10-10}±5.0 درجه
طول تخت اولیه	47.5mm±2.5mm
حذف لبه	3 میلی متر
TTV / کمان / تار	≤15um/≤40um/≤60um
تراکم میکرولوله	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
مقاومت 4H-N 4H-SI	0.015~0.028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
خشونت	لهستانی Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm
#ترک در اثر نور با شدت بالا	هیچ یک		1 مجاز، ≤2 میلی متر	طول تجمعی ≤10mm، تک طول ≤2mm
* صفحات شش گوش با نور با شدت بالا	سطح تجمعی ≤1٪		سطح تجمعی ≤ 2٪	سطح تجمعی ≤ 5٪
* نواحی پلی تایپ با نور با شدت بالا	هیچ یک		سطح تجمعی ≤ 2٪	سطح تجمعی ≤ 5٪
* با نور با شدت بالا خراشیده می شود	3 خراش تا 1 x قطر ویفر طول تجمعی		5 خراش تا 1 x قطر ویفر طول تجمعی	5 خراش تا 1 برابر قطر ویفر طول تجمعی
تراشه لبه	هیچ یک		3 عدد مجاز، هر کدام ≤0.5 میلی متر	5 عدد مجاز، هر کدام ≤1 میلی متر
آلودگی به نور با شدت بالا	هیچ یک

فروش و خدمات مشتری

خرید مواد

بخش خرید مواد مسئول جمع آوری تمام مواد اولیه مورد نیاز برای تولید محصول شماست.قابلیت ردیابی کامل کلیه محصولات و مواد از جمله تجزیه و تحلیل شیمیایی و فیزیکی همیشه در دسترس است.

کیفیت

در حین و پس از ساخت یا ماشینکاری محصولات شما، بخش کنترل کیفیت درگیر اطمینان از اینکه تمام مواد و تحمل ها مطابق با مشخصات شما هستند یا فراتر از آن هستند.

سرویس

ما به داشتن کادر مهندسی فروش با بیش از 5 سال تجربه در صنعت نیمه هادی افتخار می کنیم.آنها برای پاسخ به سوالات فنی و همچنین ارائه به موقع برای نیازهای شما آموزش دیده اند.

هر زمان که مشکلی داشتید در کنار شما هستیم و در 10 ساعت آن را حل می کنیم.