لنز نوری SIC 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI اندازه سفارشی
ویژگیهای کلیدی
ترکیب شیمیایی | آل2O3 |
سختی | 9 موهس |
طبیعت نوری | تک محوره |
ضریب شکست | ۱.۷۶۲-۱.۷۷۰ |
دوشکستی | ۰.۰۰۸-۰.۰۱۰ |
پراکندگی | کم، ۰.۰۱۸ |
درخشش | زجاجیه |
چندرنگی | متوسط تا قوی |
قطر | 0.4 میلیمتر تا 30 میلیمتر |
تحمل قطر | 0.004 میلیمتر-0.05 میلیمتر |
طول | ۲ میلیمتر تا ۱۵۰ میلیمتر |
تحمل طول | 0.03 میلیمتر-0.25 میلیمتر |
کیفیت سطح | ۴۰/۲۰ |
گردی سطح | RZ0.05 |
شکل سفارشی | هر دو انتها صاف، یک انتها قرمز، هر دو انتها قرمز، پینهای زین و اشکال خاص |
ویژگیهای کلیدی
۱. ضریب شکست بالا و پنجره انتقال وسیع: لنزهای نوری SiC با ضریب شکست تقریباً ۲.۶-۲.۷ در طیف عملیاتی خود، عملکرد نوری استثنایی را نشان میدهند. این پنجره انتقال وسیع (۶۰۰-۱۸۵۰ نانومتر) شامل هر دو ناحیه مرئی و نزدیک به مادون قرمز میشود و آنها را به ویژه برای سیستمهای تصویربرداری چند طیفی و کاربردهای نوری پهن باند ارزشمند میکند. ضریب جذب پایین این ماده در این محدودهها، حداقل تضعیف سیگنال را حتی در کاربردهای لیزر پرقدرت تضمین میکند.
۲. خواص نوری غیرخطی استثنایی: ساختار کریستالی منحصر به فرد کاربید سیلیکون، ضرایب نوری غیرخطی قابل توجهی (χ(2) ≈ 15 pm/V، χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) به آن میبخشد که امکان فرآیندهای تبدیل فرکانس کارآمد را فراهم میکند. این خواص به طور فعال در کاربردهای پیشرفته مانند نوسانگرهای پارامتری نوری، سیستمهای لیزر فوق سریع و دستگاههای پردازش سیگنال تمام نوری مورد استفاده قرار میگیرند. آستانه آسیب بالای این ماده (>5 GW/cm2) مناسب بودن آن را برای کاربردهای با شدت بالا بیشتر میکند.
۳. پایداری مکانیکی و حرارتی: با مدول الاستیک نزدیک به ۴۰۰ گیگاپاسکال و رسانایی حرارتی بیش از ۳۰۰ وات بر متر مکعب در کلوین، اجزای نوری SiC پایداری فوقالعادهای را تحت تنش مکانیکی و چرخههای حرارتی حفظ میکنند. ضریب انبساط حرارتی فوقالعاده پایین (۴.۰×۱۰-۶/K) حداقل تغییر کانونی را با تغییرات دما تضمین میکند، که یک مزیت حیاتی برای سیستمهای نوری دقیق است که در محیطهای حرارتی متغیر مانند کاربردهای فضایی یا تجهیزات پردازش لیزری صنعتی کار میکنند.
۴. خواص کوانتومی: مراکز رنگی جای خالی سیلیکون (VSi) و دو جای خالی (VSiVC) در پلیتایپهای 4H-SiC و 6H-SiC حالتهای اسپینی قابل آدرسدهی نوری با زمانهای همدوسی طولانی در دمای اتاق نشان میدهند. این ساطعکنندههای کوانتومی در شبکههای کوانتومی مقیاسپذیر ادغام میشوند و به ویژه برای توسعه حسگرهای کوانتومی دمای اتاق و دستگاههای حافظه کوانتومی در معماریهای محاسبات کوانتومی فوتونی امیدوارکننده هستند.
۵. سازگاری CMOS: سازگاری SiC با فرآیندهای استاندارد ساخت نیمههادی، امکان ادغام مستقیم یکپارچه با پلتفرمهای فوتونیک سیلیکونی را فراهم میکند. این امر امکان ایجاد سیستمهای فوتونیک-الکترونیکی هیبریدی را فراهم میکند که مزایای نوری SiC را با عملکرد الکترونیکی سیلیکون ترکیب میکنند و امکانات جدیدی را برای طراحیهای سیستم روی تراشه در محاسبات نوری و کاربردهای حسگری ایجاد میکنند.
کاربردهای اولیه
۱. مدارهای مجتمع فوتونی (PIC): در PIC های نسل بعدی، لنزهای نوری SiC تراکم و عملکرد یکپارچهسازی بیسابقهای را ممکن میسازند. آنها به ویژه برای اتصالات نوری در مقیاس ترابیت در مراکز داده ارزشمند هستند، جایی که ترکیب آنها از ضریب شکست بالا و اتلاف کم، شعاعهای خمش محکم را بدون تخریب قابل توجه سیگنال امکانپذیر میکند. پیشرفتهای اخیر، کاربرد آنها را در مدارهای فوتونی نورومورفیک برای کاربردهای هوش مصنوعی نشان داده است، جایی که خواص نوری غیرخطی، پیادهسازی شبکههای عصبی تمام نوری را امکانپذیر میکند.
۲. اطلاعات و محاسبات کوانتومی: فراتر از کاربردهای مرکز رنگ، لنزهای SiC به دلیل تواناییشان در حفظ حالتهای قطبش و سازگاریشان با منابع تک فوتونی، در سیستمهای ارتباط کوانتومی مورد استفاده قرار میگیرند. غیرخطی بودن مرتبه دوم بالای این ماده برای رابطهای تبدیل فرکانس کوانتومی مورد استفاده قرار میگیرد که برای اتصال سیستمهای کوانتومی مختلف که در طول موجهای متفاوت کار میکنند، ضروری است.
۳. هوافضا و دفاع: سختی تابشی SiC (مقاومت در برابر دزهای >1 MGy) آن را برای سیستمهای نوری مبتنی بر فضا ضروری میکند. کاربردهای اخیر شامل ردیابهای ستاره برای ناوبری ماهوارهای و پایانههای ارتباط نوری برای لینکهای بین ماهوارهای است. در کاربردهای دفاعی، لنزهای SiC نسلهای جدیدی از سیستمهای لیزری فشرده و پرقدرت را برای کاربردهای انرژی هدایتشده و سیستمهای پیشرفته LiDAR با وضوح برد بهبود یافته فراهم میکنند.
۴. سیستمهای نوری فرابنفش: عملکرد SiC در طیف فرابنفش (بهویژه زیر ۳۰۰ نانومتر) همراه با مقاومت آن در برابر اثرات آفتابگیری، آن را به مادهی انتخابی برای سیستمهای لیتوگرافی فرابنفش، ابزارهای پایش ازن و تجهیزات رصد اخترفیزیک تبدیل میکند. رسانایی حرارتی بالای این ماده بهویژه برای کاربردهای فرابنفش با توان بالا که در آنها اثرات عدسی حرارتی باعث تخریب اپتیکهای مرسوم میشود، مفید است.
۵. قطعات فوتونیک مجتمع: فراتر از کاربردهای موجبر سنتی، SiC امکان ساخت کلاسهای جدیدی از قطعات فوتونیک مجتمع از جمله ایزولاتورهای نوری مبتنی بر اثرات مغناطیسی-نوری، میکرورزوناتورهای با Q بسیار بالا برای تولید شانه فرکانسی و مدولاتورهای الکترواپتیکی با پهنای باند بیش از ۱۰۰ گیگاهرتز را فراهم میکند. این پیشرفتها، نوآوریهایی را در پردازش سیگنال نوری و سیستمهای فوتونیک مایکروویو ایجاد میکنند.
خدمات XKH
محصولات XKH به طور گسترده در زمینههای فناوری پیشرفته مانند آنالیز طیفسنجی، سیستمهای لیزری، میکروسکوپها و نجوم مورد استفاده قرار میگیرند و به طور مؤثر عملکرد و قابلیت اطمینان سیستمهای نوری را افزایش میدهند. علاوه بر این، XKH پشتیبانی جامع طراحی، خدمات مهندسی و نمونهسازی سریع را ارائه میدهد تا اطمینان حاصل شود که مشتریان میتوانند به سرعت محصولات خود را اعتبارسنجی و به تولید انبوه برسانند.
با انتخاب منشورهای نوری SiC ما، از مزایای زیر بهرهمند خواهید شد:
۱. عملکرد برتر: مواد SiC سختی و مقاومت حرارتی بالایی ارائه میدهند و عملکرد پایدار را حتی در شرایط سخت تضمین میکنند.
2. خدمات سفارشی: ما پشتیبانی کامل از فرآیند را از طراحی تا تولید بر اساس نیاز مشتری ارائه میدهیم.
۳. تحویل کارآمد: با فرآیندهای پیشرفته و تجربه غنی، میتوانیم به سرعت به نیازهای مشتری پاسخ دهیم و به موقع تحویل دهیم.


