ویفر SOI سه لایه با زیرلایه سیلیکون روی عایق برای میکروالکترونیک و فرکانس رادیویی

ویفر پیشرفته سیلیکون روی عایق (SOI) خود را معرفی می‌کنیم که با دقت و با سه لایه مجزا مهندسی شده و انقلابی در کاربردهای میکروالکترونیک و فرکانس رادیویی (RF) ایجاد می‌کند. این زیرلایه نوآورانه، یک لایه سیلیکونی بالایی، یک لایه اکسید عایق و یک زیرلایه سیلیکونی پایینی را برای ارائه عملکرد و تطبیق‌پذیری بی‌نظیر ترکیب می‌کند.

ویفر SOI ما که برای نیازهای میکروالکترونیک مدرن طراحی شده است، پایه محکمی برای ساخت مدارهای مجتمع (IC) پیچیده با سرعت، راندمان انرژی و قابلیت اطمینان برتر فراهم می‌کند. لایه سیلیکونی بالایی امکان ادغام یکپارچه قطعات الکترونیکی پیچیده را فراهم می‌کند، در حالی که لایه اکسید عایق، ظرفیت خازنی پارازیتی را به حداقل می‌رساند و عملکرد کلی دستگاه را افزایش می‌دهد.

در حوزه کاربردهای RF، ویفر SOI ما با ظرفیت خازنی انگلی کم، ولتاژ شکست بالا و خواص ایزولاسیون عالی خود، سرآمد است. این زیرلایه که برای سوئیچ‌های RF، تقویت‌کننده‌ها، فیلترها و سایر اجزای RF ایده‌آل است، عملکرد بهینه را در سیستم‌های ارتباطی بی‌سیم، سیستم‌های راداری و موارد دیگر تضمین می‌کند.

علاوه بر این، تحمل ذاتی تابش ویفر SOI ما، آن را برای کاربردهای هوافضا و دفاعی، که در آن قابلیت اطمینان در محیط‌های سخت بسیار مهم است، ایده‌آل می‌کند. ساختار مستحکم و ویژگی‌های عملکردی استثنایی آن، عملکرد پایدار را حتی در شرایط سخت تضمین می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی:

معماری سه لایه: لایه سیلیکونی بالایی، لایه اکسید عایق و زیرلایه سیلیکونی پایینی.

عملکرد برتر میکروالکترونیک: ساخت مدارات مجتمع پیشرفته با سرعت و راندمان توان افزایش یافته را امکان‌پذیر می‌سازد.

عملکرد عالی RF: ظرفیت خازنی پارازیتی کم، ولتاژ شکست بالا و خواص ایزولاسیون برتر برای دستگاه‌های RF.

قابلیت اطمینان در سطح هوافضا: تحمل ذاتی در برابر تابش، قابلیت اطمینان را در محیط‌های سخت تضمین می‌کند.

کاربردهای متنوع: مناسب برای طیف وسیعی از صنایع، از جمله مخابرات، هوافضا، دفاع و غیره.

نسل بعدی فناوری میکروالکترونیک و RF را با ویفر پیشرفته سیلیکون روی عایق (SOI) ما تجربه کنید. با راهکار زیرلایه پیشرفته ما، امکانات جدیدی را برای نوآوری باز کنید و پیشرفت را در برنامه‌های خود به ارمغان بیاورید.