شمش سیلیکون کاربید SiC با ضخامت 6 اینچ از نوع N و درجه Dummy/prime قابل سفارشی سازی است
خواص
درجه: درجه تولید (ساختگی/پرایم)
اندازه: قطر ۶ اینچ
قطر: ۱۵۰.۲۵ میلیمتر ± ۰.۲۵ میلیمتر
ضخامت: >10 میلیمتر (ضخامت قابل تنظیم بنا به درخواست موجود است)
جهتگیری سطح: ۴ درجه به سمت <۱۱-۲۰> ± ۰.۲ درجه، که کیفیت بالای کریستال و ترازبندی دقیق را برای ساخت دستگاه تضمین میکند.
جهتگیری مسطح اولیه: <1-100> ± 5°، یک ویژگی کلیدی برای برش کارآمد شمش به ویفر و رشد بهینه کریستال.
طول تخت اولیه: ۴۷.۵ میلیمتر ± ۱.۵ میلیمتر، طراحی شده برای جابجایی آسان و برش دقیق.
مقاومت ویژه: 0.015–0.0285 Ω·cm، ایدهآل برای کاربرد در دستگاههای قدرت با راندمان بالا.
تراکم میکروپایپ: کمتر از 0.5، که تضمین کننده حداقل نقصهایی است که میتوانند بر عملکرد دستگاههای ساخته شده تأثیر بگذارند.
BPD (چگالی حفرهدار شدن بور): کمتر از ۲۰۰۰، مقدار پایینی که نشان دهنده خلوص بالای کریستال و چگالی کم عیوب است.
TSD (تراکم دررفتگی پیچ رزوه): کمتر از ۵۰۰، که تضمین کننده یکپارچگی عالی مواد برای دستگاههای با کارایی بالا است.
نواحی چند شکلی: ندارد - شمش عاری از عیوب چند شکلی است و کیفیت مواد برتر را برای کاربردهای سطح بالا ارائه میدهد.
فرورفتگی لبه: کمتر از ۳، با عرض و عمق ۱ میلیمتر، که حداقل آسیب سطحی را تضمین میکند و یکپارچگی شمش را برای برش کارآمد ویفر حفظ میکند.
ترکهای لبه: ۳ عدد، هر کدام کمتر از ۱ میلیمتر، با احتمال کم آسیب لبه، که جابجایی ایمن و پردازش بیشتر را تضمین میکند.
بستهبندی: جعبه ویفر - شمش SiC به طور ایمن در یک جعبه ویفر بستهبندی میشود تا حمل و نقل و جابجایی ایمن تضمین شود.
کاربردها
الکترونیک قدرت:شمش SiC با قطر ۶ اینچ به طور گسترده در تولید دستگاههای الکترونیک قدرت مانند MOSFETها، IGBTها و دیودها که اجزای ضروری در سیستمهای تبدیل قدرت هستند، استفاده میشود. این دستگاهها به طور گسترده در اینورترهای خودروهای الکتریکی (EV)، درایوهای موتورهای صنعتی، منابع تغذیه و سیستمهای ذخیره انرژی مورد استفاده قرار میگیرند. توانایی SiC در کار در ولتاژهای بالا، فرکانسهای بالا و دماهای بسیار بالا، آن را برای کاربردهایی که دستگاههای سیلیکونی سنتی (Si) برای عملکرد کارآمد با مشکل مواجه هستند، ایدهآل میکند.
وسایل نقلیه الکتریکی (EV):در خودروهای الکتریکی، اجزای مبتنی بر SiC برای توسعه ماژولهای قدرت در اینورترها، مبدلهای DC-DC و شارژرهای داخلی بسیار مهم هستند. رسانایی حرارتی برتر SiC امکان کاهش تولید گرما و راندمان بهتر در تبدیل برق را فراهم میکند که برای افزایش عملکرد و برد رانندگی خودروهای الکتریکی حیاتی است. علاوه بر این، دستگاههای SiC امکان ساخت اجزای کوچکتر، سبکتر و قابل اطمینانتر را فراهم میکنند که به عملکرد کلی سیستمهای EV کمک میکند.
سیستمهای انرژی تجدیدپذیر:شمشهای SiC یک ماده ضروری در توسعه دستگاههای تبدیل انرژی مورد استفاده در سیستمهای انرژی تجدیدپذیر، از جمله اینورترهای خورشیدی، توربینهای بادی و راهحلهای ذخیرهسازی انرژی هستند. قابلیتهای بالای SiC در مدیریت توان و مدیریت حرارتی کارآمد، امکان افزایش راندمان تبدیل انرژی و بهبود قابلیت اطمینان در این سیستمها را فراهم میکند. استفاده از آن در انرژیهای تجدیدپذیر به پیشبرد تلاشهای جهانی در جهت پایداری انرژی کمک میکند.
مخابرات:شمش SiC با قطر ۶ اینچ همچنین برای تولید قطعات مورد استفاده در کاربردهای RF (فرکانس رادیویی) با توان بالا مناسب است. این قطعات شامل تقویتکنندهها، نوسانسازها و فیلترهای مورد استفاده در سیستمهای مخابراتی و ارتباطی ماهوارهای میشوند. توانایی SiC در مدیریت فرکانسهای بالا و توان بالا، آن را به مادهای عالی برای دستگاههای مخابراتی تبدیل میکند که نیاز به عملکرد قوی و حداقل افت سیگنال دارند.
هوافضا و دفاع:ولتاژ شکست بالای SiC و مقاومت آن در برابر دماهای بالا، آن را برای کاربردهای هوافضا و دفاعی ایدهآل میکند. قطعات ساخته شده از شمشهای SiC در سیستمهای رادار، ارتباطات ماهوارهای و الکترونیک قدرت برای هواپیماها و فضاپیماها استفاده میشوند. مواد مبتنی بر SiC سیستمهای هوافضا را قادر میسازند تا در شرایط سخت موجود در فضا و محیطهای مرتفع عملکرد خوبی داشته باشند.
اتوماسیون صنعتی:در اتوماسیون صنعتی، اجزای SiC در حسگرها، محرکها و سیستمهای کنترلی که نیاز به کار در محیطهای سخت دارند، استفاده میشوند. دستگاههای مبتنی بر SiC در ماشینآلاتی به کار میروند که به اجزای کارآمد و بادوام نیاز دارند که قادر به تحمل دماهای بالا و تنشهای الکتریکی باشند.
جدول مشخصات محصول
ملک | مشخصات |
درجه | تولید (ساختگی/پرایم) |
اندازه | ۶ اینچی |
قطر | ۱۵۰.۲۵ میلیمتر ± ۰.۲۵ میلیمتر |
ضخامت | >10 میلیمتر (قابل تنظیم) |
جهت گیری سطح | ۴ درجه به سمت <۱۱-۲۰> ± ۰.۲ درجه |
جهت گیری اولیه مسطح | <1-100> ± 5 درجه |
طول تخت اولیه | ۴۷.۵ میلیمتر ± ۱.۵ میلیمتر |
مقاومت ویژه | ۰.۰۱۵–۰.۰۲۸۵ اهم·سانتیمتر |
تراکم میکروپایپ | <0.5 |
چگالی حفرهدار شدن بور (BPD) | <2000 |
تراکم دررفتگی پیچ رزوه (TSD) | <500 |
نواحی چندنوعی | هیچکدام |
تورفتگی لبهها | <3، عرض و عمق 1 میلیمتر |
ترکهای لبه | 3، <1 میلیمتر در هر اینچ |
بسته بندی | مورد ویفر |
نتیجهگیری
شمش SiC 6 اینچی - نوع N Dummy/Prime grade، مادهای ممتاز است که الزامات سختگیرانه صنعت نیمههادی را برآورده میکند. رسانایی حرارتی بالا، مقاومت ویژه استثنایی و چگالی نقص کم آن، آن را به انتخابی عالی برای تولید دستگاههای پیشرفته الکترونیک قدرت، قطعات خودرو، سیستمهای مخابراتی و سیستمهای انرژی تجدیدپذیر تبدیل میکند. ضخامت و مشخصات دقیق قابل تنظیم، تضمین میکند که این شمش SiC میتواند برای طیف وسیعی از کاربردها مناسب باشد و عملکرد و قابلیت اطمینان بالا را در محیطهای دشوار تضمین کند. برای اطلاعات بیشتر یا ثبت سفارش، لطفاً با تیم فروش ما تماس بگیرید.
نمودار تفصیلی



