محصولات
-
ویفر سیلیکون کاربید 2 اینچی 6H-N نوع درجه اولیه تحقیقاتی درجه ساختگی درجه ساختگی 330μm ضخامت 430μm
-
زیرلایه کاربید سیلیکون 2 اینچی 6H-N دو طرفه جلا داده شده با قطر 50.8 میلی متر درجه تحقیقاتی درجه تولید
-
بستر مس مکعب مس تک کریستال مس ویفر 100 110 111 جهت SSP DSP خلوص 99.99%
-
ویفر مس تک کریستال زیر لایه مس 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
-
ویفر نیکل بستر Ni 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
-
زیرلایه نیکل/ویفر ساختار مکعبی تک کریستالی a=3.25A چگالی 8.91
-
منیزیم تک کریستال بستر منیزیم خلوص ویفر 99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm20x20x0.5/1mm
-
ویفر منیزیم تک کریستال منیزیم DSP جهت SSP
-
زیرلایه فلزی تک کریستال آلومینیوم صیقلی و پردازش شده در ابعاد برای تولید مدار مجتمع
-
بستر آلومینیومی جهت بستر آلومینیوم تک کریستال 111 100 111 5×5×0.5mm
-
ویفر شیشه ای کوارتز JGS1 JGS2 BF33 ویفر 8 اینچ 12 اینچ 725 ± 25 um یا سفارشی
-
لوله یاقوت کبود CZmethod روش KY مقاومت در برابر دمای بالا Al2O3 99.999% یاقوت کبود تک کریستال