ویفر InSb 2 اینچ 3 اینچ بدون آلایش نوع N نوع P جهت گیری 111 100 برای آشکارسازهای مادون قرمز
ویژگی‌ها
گزینه‌های دوپینگ:
۱. دوپینگ نشده:این ویفرها عاری از هرگونه عامل آلایش هستند و عمدتاً برای کاربردهای تخصصی مانند رشد اپیتاکسیال استفاده می‌شوند، جایی که ویفر به عنوان یک زیرلایه خالص عمل می‌کند.
۲. نوع N (آلاییده به Te):آلایش تلوریم (Te) برای ساخت ویفرهای نوع N استفاده می‌شود که تحرک الکترونی بالایی را ارائه می‌دهد و آنها را برای آشکارسازهای مادون قرمز، الکترونیک پرسرعت و سایر کاربردهایی که نیاز به جریان الکترونی کارآمد دارند، مناسب می‌سازد.
نوع ۳P (آلایش یافته با ژرمانیوم):آلایش ژرمانیوم (Ge) برای ساخت ویفرهای نوع P استفاده می‌شود که تحرک‌پذیری بالای حفره‌ها را فراهم می‌کند و عملکرد عالی برای حسگرهای مادون قرمز و آشکارسازهای نوری ارائه می‌دهد.
گزینه‌های اندازه:
۱. ویفرها در قطرهای ۲ و ۳ اینچی موجود هستند. این امر سازگاری با فرآیندها و دستگاه‌های مختلف ساخت نیمه‌هادی را تضمین می‌کند.
۲. ویفر ۲ اینچی قطری معادل ۵۰.۸±۰.۳ میلی‌متر دارد، در حالی که ویفر ۳ اینچی قطری معادل ۷۶.۲±۰.۳ میلی‌متر دارد.
جهت گیری:
۱. ویفرها با جهت‌گیری‌های ۱۰۰ و ۱۱۱ موجود هستند. جهت‌گیری ۱۰۰ برای الکترونیک پرسرعت و آشکارسازهای مادون قرمز ایده‌آل است، در حالی که جهت‌گیری ۱۱۱ اغلب برای دستگاه‌هایی که به خواص الکتریکی یا نوری خاصی نیاز دارند، استفاده می‌شود.
کیفیت سطح:
۱. این ویفرها با سطوح صیقلی/حکاکی شده برای کیفیت عالی ارائه می‌شوند و عملکرد بهینه را در کاربردهایی که نیاز به ویژگی‌های نوری یا الکتریکی دقیق دارند، امکان‌پذیر می‌سازند.
۲. آماده‌سازی سطح، چگالی نقص کم را تضمین می‌کند و این ویفرها را برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز که در آنها ثبات عملکرد بسیار مهم است، ایده‌آل می‌سازد.
آماده برای اپی:
۱. این ویفرها آماده‌ی رشد اپی هستند و آنها را برای کاربردهایی که شامل رشد اپیتاکسیال هستند، مناسب می‌کند. در این کاربردها، لایه‌های اضافی از مواد برای ساخت نیمه‌هادی‌های پیشرفته یا دستگاه‌های اپتوالکترونیکی روی ویفر رسوب داده می‌شوند.
کاربردها
۱. آشکارسازهای مادون قرمز:ویفرهای InSb به طور گسترده در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، به ویژه در محدوده مادون قرمز با طول موج متوسط (MWIR) استفاده می‌شوند. آنها برای سیستم‌های دید در شب، تصویربرداری حرارتی و کاربردهای نظامی ضروری هستند.
۲. سیستم‌های تصویربرداری مادون قرمز:حساسیت بالای ویفرهای InSb امکان تصویربرداری مادون قرمز دقیق را در بخش‌های مختلف، از جمله امنیت، نظارت و تحقیقات علمی، فراهم می‌کند.
۳. الکترونیک پرسرعت:به دلیل تحرک بالای الکترون، این ویفرها در دستگاه‌های الکترونیکی پیشرفته مانند ترانزیستورهای پرسرعت و دستگاه‌های اپتوالکترونیکی استفاده می‌شوند.
۴. دستگاه‌های چاه کوانتومی:ویفرهای InSb برای کاربردهای چاه کوانتومی در لیزرها، آشکارسازها و سایر سیستم‌های اپتوالکترونیکی ایده‌آل هستند.
پارامترهای محصول
| پارامتر | ۲ اینچی | ۳ اینچی |
| قطر | 50.8±0.3 میلی‌متر | ۷۶.۲±۰.۳ میلی‌متر |
| ضخامت | ۵۰۰±۵ میکرومتر | 650±5 میکرومتر |
| سطح | جلا داده شده/اچ شده | جلا داده شده/اچ شده |
| نوع دوپینگ | بدون آلاییده، آلاییده با Te (N)، آلاییده با Ge (P) | بدون آلاییده، آلاییده با Te (N)، آلاییده با Ge (P) |
| جهت گیری | ۱۰۰، ۱۱۱ | ۱۰۰، ۱۱۱ |
| بسته | مجرد | مجرد |
| آماده برای اپی | بله | بله |
پارامترهای الکتریکی برای Te آلاییده شده (نوع N):
- تحرک: 2000-5000 سانتی‌متر مربع بر ولت ثانیه
- مقاومت ویژه: (1-1000) اهم · سانتی‌متر
- چگالی نقص (EPD): ≤2000 نقص در سانتی‌متر مربع
پارامترهای الکتریکی برای آلاییده شده با ژرمانیوم (نوع P):
- تحرک: ۴۰۰۰-۸۰۰۰ سانتی‌متر مربع بر ولت · ثانیه
- مقاومت ویژه: (0.5-5) اهم · سانتی‌متر
چگالی نقص (EPD): ≤2000 نقص در سانتی‌متر مربع
پرسش و پاسخ (سوالات متداول)
سوال ۱: نوع آلایش ایده‌آل برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز چیست؟
الف۱:آلاییده شده با Te (نوع N)ویفرها معمولاً انتخاب ایده‌آلی برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز هستند، زیرا تحرک الکترونی بالایی دارند و عملکرد عالی در آشکارسازها و سیستم‌های تصویربرداری مادون قرمز با طول موج متوسط (MWIR) ارائه می‌دهند.
Q2: آیا می‌توانم از این ویفرها برای کاربردهای الکترونیکی پرسرعت استفاده کنم؟
A2: بله، ویفرهای InSb، به ویژه آنهایی که ...دوپینگ نوع Nو۱۰۰ جهت گیری، به دلیل تحرک بالای الکترون، برای الکترونیک پرسرعت مانند ترانزیستورها، دستگاه‌های چاه کوانتومی و قطعات اپتوالکترونیکی بسیار مناسب هستند.
س ۳: چه تفاوت‌هایی بین جهت‌گیری‌های ۱۰۰ و ۱۱۱ برای ویفرهای InSb وجود دارد؟
A3:۱۰۰جهت گیری معمولاً برای دستگاه‌هایی که نیاز به عملکرد الکترونیکی پرسرعت دارند استفاده می‌شود، در حالی که۱۱۱جهت گیری اغلب برای کاربردهای خاصی که به ویژگی‌های الکتریکی یا نوری متفاوتی نیاز دارند، از جمله دستگاه‌های اپتوالکترونیکی و حسگرهای خاص، استفاده می‌شود.
سوال ۴: اهمیت ویژگی Epi-Ready برای ویفرهای InSb چیست؟
A4:آماده برای اپیاین ویژگی به این معنی است که ویفر برای فرآیندهای رسوب اپیتاکسیال از قبل آماده‌سازی شده است. این امر برای کاربردهایی که نیاز به رشد لایه‌های اضافی از مواد روی ویفر دارند، مانند تولید نیمه‌هادی‌های پیشرفته یا دستگاه‌های اپتوالکترونیکی، بسیار مهم است.
سوال ۵: کاربردهای معمول ویفرهای InSb در حوزه فناوری مادون قرمز چیست؟
A5: ویفرهای InSb در درجه اول در تشخیص مادون قرمز، تصویربرداری حرارتی، سیستم‌های دید در شب و سایر فناوری‌های حسگر مادون قرمز استفاده می‌شوند. حساسیت بالا و نویز کم آنها، آنها را برای موارد زیر ایده‌آل می‌کند:مادون قرمز با طول موج متوسط (MWIR)آشکارسازها
Q6: ضخامت ویفر چگونه بر عملکرد آن تأثیر می‌گذارد؟
A6: ضخامت ویفر نقش مهمی در پایداری مکانیکی و ویژگی‌های الکتریکی آن ایفا می‌کند. ویفرهای نازک‌تر اغلب در کاربردهای حساس‌تر که کنترل دقیق بر خواص مواد مورد نیاز است، استفاده می‌شوند، در حالی که ویفرهای ضخیم‌تر، دوام بیشتری را برای کاربردهای صنعتی خاص فراهم می‌کنند.
Q7: چگونه اندازه ویفر مناسب را برای کاربرد خود انتخاب کنم؟
A7: اندازه مناسب ویفر به دستگاه یا سیستم خاصی که طراحی می‌شود بستگی دارد. ویفرهای کوچکتر (2 اینچ) اغلب برای تحقیقات و کاربردهای در مقیاس کوچکتر استفاده می‌شوند، در حالی که ویفرهای بزرگتر (3 اینچ) معمولاً برای تولید انبوه و دستگاه‌های بزرگتر که به مواد بیشتری نیاز دارند، استفاده می‌شوند.
نتیجه‌گیری
ویفرهای InSb در۲ اینچیو۳ اینچیاندازه‌ها، بابدون دوپینگ, نوع N، ونوع Pاین تغییرات، در کاربردهای نیمه‌هادی و اپتوالکترونیکی، به‌ویژه در سیستم‌های تشخیص مادون قرمز، بسیار ارزشمند هستند.۱۰۰و۱۱۱این جهت‌گیری‌ها، انعطاف‌پذیری لازم را برای نیازهای مختلف فناوری، از الکترونیک پرسرعت گرفته تا سیستم‌های تصویربرداری مادون قرمز، فراهم می‌کنند. این ویفرها با تحرک الکترونی استثنایی، نویز کم و کیفیت سطح دقیق، برای موارد زیر ایده‌آل هستند:آشکارسازهای مادون قرمز با طول موج متوسطو سایر برنامه‌های کاربردی با کارایی بالا.
نمودار تفصیلی
