ویفر InSb 2 اینچ 3 اینچ بدون دونه Ntype P جهت 111 100 برای آشکارسازهای مادون قرمز
ویژگی ها
گزینه های دوپینگ:
1. لغو نشده:این ویفرها عاری از هر گونه عوامل دوپینگ هستند و در درجه اول برای کاربردهای تخصصی مانند رشد اپیتاکسیال استفاده می شوند، جایی که ویفر به عنوان یک بستر خالص عمل می کند.
2.N-Type (Te Doped):دوپینگ تلوریوم (Te) برای ایجاد ویفرهای نوع N استفاده می شود، که تحرک الکترون بالایی را ارائه می دهد و آنها را برای آشکارسازهای مادون قرمز، الکترونیک با سرعت بالا و سایر کاربردهایی که نیاز به جریان الکترون کارآمد دارند، مناسب می کند.
3.P-Type (Ge Doped):دوپینگ ژرمانیوم (Ge) برای ایجاد ویفرهای نوع P استفاده می شود که تحرک حفره بالایی را ارائه می دهد و عملکرد عالی را برای حسگرهای مادون قرمز و آشکارسازهای نوری ارائه می دهد.
گزینه های اندازه:
1. ویفرها در قطرهای 2 و 3 اینچی موجود هستند. این امر سازگاری با فرآیندها و دستگاه های مختلف ساخت نیمه هادی را تضمین می کند.
2. ویفر 2 اینچی دارای قطر 50.8±0.3 میلی متر است، در حالی که ویفر 3 اینچی دارای قطر 0.3±76.2 میلی متر است.
جهت گیری:
1. ویفرها با جهت های 100 و 111 در دسترس هستند. جهت گیری 100 برای آشکارسازهای الکترونیکی و مادون قرمز با سرعت بالا ایده آل است، در حالی که جهت گیری 111 اغلب برای دستگاه هایی که به خواص الکتریکی یا نوری خاصی نیاز دارند استفاده می شود.
کیفیت سطح:
1. این ویفرها دارای سطوح صیقلی/حکاکی شده برای کیفیت عالی هستند که عملکرد بهینه را در کاربردهایی که نیاز به مشخصات نوری یا الکتریکی دقیق دارند را ممکن می سازد.
2. آماده سازی سطح، تراکم نقص کم را تضمین می کند، و این ویفرها را برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز که در آن ثبات عملکرد بسیار مهم است، ایده آل می کند.
اپی آماده:
1. این ویفرها آماده اپی هستند، و آنها را برای کاربردهایی که شامل رشد اپیتاکسیال می‌شوند، که در آن لایه‌های بیشتری از مواد روی ویفر برای ساخت نیمه‌رساناهای پیشرفته یا دستگاه‌های الکترونیکی نوری قرار می‌گیرد، مناسب می‌سازد.
برنامه های کاربردی
1. آشکارسازهای مادون قرمز:ویفرهای InSb به طور گسترده در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، به ویژه در محدوده های مادون قرمز با طول موج متوسط (MWIR) استفاده می شود. آنها برای سیستم های دید در شب، تصویربرداری حرارتی و کاربردهای نظامی ضروری هستند.
2. سیستم های تصویربرداری مادون قرمز:حساسیت بالای ویفرهای InSb امکان تصویربرداری دقیق مادون قرمز را در بخش های مختلف از جمله امنیت، نظارت و تحقیقات علمی فراهم می کند.
3. الکترونیک پرسرعت:این ویفرها به دلیل تحرک بالای الکترونی که دارند در دستگاه های الکترونیکی پیشرفته مانند ترانزیستورهای پرسرعت و دستگاه های اپتوالکترونیک استفاده می شوند.
4. دستگاه های چاه کوانتومی:ویفرهای InSb برای کاربردهای چاه کوانتومی در لیزرها، آشکارسازها و سایر سیستم‌های اپتوالکترونیکی ایده‌آل هستند.
پارامترهای محصول
| پارامتر | 2 اینچی | 3 اینچی |
| قطر | 0.3±50.8 میلی متر | 0.3±76.2 میلی متر |
| ضخامت | 500±5μm | 650±5μm |
| سطح | جلا داده شده / اچ شده | جلا داده شده / اچ شده |
| نوع دوپینگ | دوپ نشده، دوپ نشده (N)، Ge-doped (P) | دوپ نشده، دوپ نشده (N)، Ge-doped (P) |
| جهت گیری | 100، 111 | 100، 111 |
| بسته | مجرد | مجرد |
| اپی آماده | بله | بله |
پارامترهای الکتریکی برای Te Doped (نوع N):
- تحرک: 2000-5000 سانتی متر مربع/V·s
- مقاومت: (1-1000) Ω·cm
- EPD (تراکم نقص): ≤2000 عیب/cm²
پارامترهای الکتریکی برای Ge Doped (P-Type):
- تحرک: 4000-8000 سانتی متر مربع/V·s
- مقاومت: (0.5-5) Ω·cm
EPD (تراکم نقص): ≤2000 عیب/cm²
پرسش و پاسخ (سوالات متداول)
Q1: نوع دوپینگ ایده آل برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز چیست؟
A1:ته دوپ شده (نوع N)ویفرها معمولاً انتخاب ایده‌آلی برای کاربردهای تشخیص مادون قرمز هستند، زیرا تحرک الکترون بالا و عملکرد عالی در آشکارسازهای مادون قرمز طول موج متوسط (MWIR) و سیستم‌های تصویربرداری ارائه می‌دهند.
Q2: آیا می توانم از این ویفرها برای برنامه های الکترونیکی پرسرعت استفاده کنم؟
A2: بله، ویفرهای InSb، به ویژه آنهایی که بادوپینگ نوع Nوجهت 100، به دلیل تحرک الکترونی بالا برای وسایل الکترونیکی پرسرعت مانند ترانزیستورها، دستگاه های چاه کوانتومی و قطعات الکترونیکی نوری مناسب هستند.
Q3: تفاوت بین جهت 100 و 111 برای ویفرهای InSb چیست؟
A3:100جهت گیری معمولاً برای دستگاه هایی استفاده می شود که به عملکرد الکترونیکی با سرعت بالا نیاز دارند، در حالی که111جهت گیری اغلب برای کاربردهای خاصی استفاده می شود که به ویژگی های الکتریکی یا نوری متفاوتی نیاز دارند، از جمله دستگاه های اپتوالکترونیکی خاص و حسگرها.
Q4: اهمیت ویژگی Epi-Ready برای ویفرهای InSb چیست؟
A4:اپی آمادهویژگی به این معنی است که ویفر برای فرآیندهای رسوب همپایی از قبل درمان شده است. این برای کاربردهایی که نیاز به رشد لایه‌های اضافی از مواد در بالای ویفر دارند، مانند تولید دستگاه‌های نیمه‌رسانای پیشرفته یا اپتوالکترونیک، بسیار مهم است.
Q5: کاربردهای معمول ویفرهای InSb در زمینه فناوری مادون قرمز چیست؟
A5: ویفرهای InSb عمدتاً در تشخیص مادون قرمز، تصویربرداری حرارتی، سیستم‌های دید در شب و سایر فناوری‌های سنجش مادون قرمز استفاده می‌شوند. حساسیت بالا و نویز کم آنها را ایده‌آل می‌کندمادون قرمز با طول موج متوسط (MWIR)آشکارسازها
Q6: ضخامت ویفر چگونه بر عملکرد آن تأثیر می گذارد؟
A6: ضخامت ویفر نقش مهمی در پایداری مکانیکی و ویژگی های الکتریکی آن دارد. ویفرهای نازک‌تر اغلب در کاربردهای حساس‌تر استفاده می‌شوند که در آن کنترل دقیق بر خواص مواد مورد نیاز است، در حالی که ویفرهای ضخیم‌تر دوام بیشتری را برای کاربردهای صنعتی خاص فراهم می‌کنند.
Q7: چگونه می توانم اندازه ویفر مناسب را برای برنامه خود انتخاب کنم؟
A7: اندازه ویفر مناسب به دستگاه یا سیستم خاصی که در حال طراحی است بستگی دارد. ویفرهای کوچکتر (2 اینچی) اغلب برای تحقیقات و کاربردهای در مقیاس کوچکتر استفاده می شوند، در حالی که ویفرهای بزرگتر (3 اینچی) معمولاً برای تولید انبوه و دستگاه های بزرگتر که به مواد بیشتری نیاز دارند استفاده می شود.
نتیجه گیری
ویفرهای InSb وارد می شود2 اینچیو3 اینچیاندازه ها، بااصلاح نشده, نوع N، ونوع Pتغییرات، در کاربردهای نیمه هادی و نوری، به ویژه در سیستم های تشخیص مادون قرمز بسیار ارزشمند هستند. این100و111جهت گیری ها برای نیازهای مختلف تکنولوژیکی، از الکترونیک پرسرعت گرفته تا سیستم های تصویربرداری مادون قرمز، انعطاف پذیری را فراهم می کنند. این ویفرها با تحرک استثنایی الکترون، نویز کم و کیفیت سطح دقیق خود، ایده آل هستندآشکارسازهای مادون قرمز با طول موج متوسطو سایر برنامه های کاربردی با کارایی بالا
نمودار تفصیلی
