گالیوم نیترید (GaN) اپیتاکسیال رشد یافته روی ویفرهای یاقوت کبود 4 اینچ 6 اینچ برای MEMS
خواص GaN روی ویفرهای یاقوت کبود
● راندمان بالا:دستگاه‌های مبتنی بر GaN پنج برابر بیشتر از دستگاه‌های مبتنی بر سیلیکون برق ارائه می‌دهند و عملکرد را در کاربردهای مختلف الکترونیکی، از جمله تقویت RF و اپتوالکترونیک، افزایش می‌دهند.
● شکاف باند وسیع:شکاف باند وسیع GaN، راندمان بالایی را در دماهای بالا فراهم می‌کند و آن را برای کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا ایده‌آل می‌سازد.
●دوام:توانایی GaN در تحمل شرایط سخت (دما و تابش بالا) عملکرد طولانی مدت را در محیط‌های سخت تضمین می‌کند.
● اندازه کوچک:GaN در مقایسه با مواد نیمه‌هادی سنتی، امکان تولید دستگاه‌های فشرده‌تر و سبک‌تر را فراهم می‌کند و امکان ساخت قطعات الکترونیکی کوچک‌تر و قدرتمندتر را فراهم می‌کند.
چکیده
نیترید گالیوم (GaN) به عنوان نیمه‌رسانای انتخابی برای کاربردهای پیشرفته که نیاز به قدرت و راندمان بالا دارند، مانند ماژول‌های جلویی RF، سیستم‌های ارتباطی پرسرعت و روشنایی LED، در حال ظهور است. ویفرهای اپیتاکسیال GaN، هنگامی که روی زیرلایه‌های یاقوت کبود رشد می‌کنند، ترکیبی از رسانایی حرارتی بالا، ولتاژ شکست بالا و پاسخ فرکانسی وسیع را ارائه می‌دهند که برای عملکرد بهینه در دستگاه‌های ارتباط بی‌سیم، رادارها و پارازیت‌اندازها کلیدی هستند. این ویفرها در قطرهای 4 و 6 اینچی با ضخامت‌های مختلف GaN برای برآورده کردن نیازهای فنی مختلف موجود هستند. خواص منحصر به فرد GaN آن را به کاندیدای اصلی برای آینده الکترونیک قدرت تبدیل می‌کند.
پارامترهای محصول
| ویژگی محصول | مشخصات |
| قطر ویفر | ۵۰ میلی‌متر، ۱۰۰ میلی‌متر، ۵۰.۸ میلی‌متر |
| بستر | یاقوت کبود |
| ضخامت لایه GaN | ۰.۵ میکرومتر - ۱۰ میکرومتر |
| نوع/آلایش GaN | نوع N (نوع P بنا به درخواست موجود است) |
| جهت گیری کریستال GaN | <0001> |
| نوع پرداخت | پرداخت یک طرفه (SSP)، پرداخت دو طرفه (DSP) |
| ضخامت Al2O3 | ۴۳۰ میکرومتر - ۶۵۰ میکرومتر |
| TTV (تغییرات ضخامت کل) | ≤ 10 میکرومتر |
| کمان | ≤ 10 میکرومتر |
| وارپ | ≤ 10 میکرومتر |
| مساحت سطح | سطح مفید > 90% |
پرسش و پاسخ
سوال ۱: مزایای کلیدی استفاده از GaN نسبت به نیمه‌رساناهای سنتی مبتنی بر سیلیکون چیست؟
A1GaN مزایای قابل توجهی نسبت به سیلیکون دارد، از جمله شکاف باند وسیع‌تر که به آن اجازه می‌دهد ولتاژهای شکست بالاتری را تحمل کند و در دماهای بالاتر به طور مؤثر عمل کند. این امر GaN را برای کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا مانند ماژول‌های RF، تقویت‌کننده‌های توان و LEDها ایده‌آل می‌کند. توانایی GaN در تحمل چگالی توان بالاتر، امکان ساخت دستگاه‌های کوچک‌تر و کارآمدتر را در مقایسه با جایگزین‌های مبتنی بر سیلیکون فراهم می‌کند.
س2: آیا می‌توان از GaN روی ویفرهای یاقوت کبود در کاربردهای MEMS (سیستم‌های میکروالکترومکانیکی) استفاده کرد؟
A2بله، GaN روی ویفرهای یاقوت کبود برای کاربردهای MEMS مناسب است، به خصوص در مواردی که به توان بالا، پایداری دمایی و نویز کم نیاز است. دوام و کارایی این ماده در محیط‌های فرکانس بالا، آن را برای دستگاه‌های MEMS مورد استفاده در ارتباطات بی‌سیم، حسگرها و سیستم‌های رادار ایده‌آل می‌کند.
س ۳: کاربردهای بالقوه GaN در ارتباطات بی‌سیم چیست؟
A3GaN به طور گسترده در ماژول‌های RF front-end برای ارتباطات بی‌سیم، از جمله زیرساخت‌های 5G، سیستم‌های راداری و مسدودکننده‌ها استفاده می‌شود. چگالی توان بالا و رسانایی حرارتی آن، آن را برای دستگاه‌های پرقدرت و فرکانس بالا ایده‌آل می‌کند و در مقایسه با راه‌حل‌های مبتنی بر سیلیکون، عملکرد بهتر و ابعاد کوچکتری را فراهم می‌کند.
Q4: زمان تحویل و حداقل مقدار سفارش برای GaN روی ویفرهای یاقوت کبود چقدر است؟
A4زمان تحویل و حداقل تعداد سفارش بسته به اندازه ویفر، ضخامت GaN و نیازهای خاص مشتری متفاوت است. لطفاً برای اطلاع از قیمت دقیق و موجودی بر اساس مشخصات خود، مستقیماً با ما تماس بگیرید.
Q5: آیا می‌توانم ضخامت لایه GaN یا سطوح آلایش سفارشی دریافت کنم؟
A5بله، ما سفارشی‌سازی ضخامت و سطوح آلایش GaN را برای برآورده کردن نیازهای خاص کاربرد ارائه می‌دهیم. لطفاً مشخصات مورد نظر خود را به ما اطلاع دهید و ما یک راه‌حل متناسب با آن ارائه خواهیم داد.
نمودار تفصیلی
