نیترید گالیوم (GaN) به صورت اپیتاکسیال روی ویفرهای یاقوت کبود 4 اینچی 6 اینچی برای MEMS رشد کرده است
خواص GaN در ویفرهای یاقوت کبود
●بازده بالا:دستگاه‌های مبتنی بر GaN پنج برابر بیشتر از دستگاه‌های مبتنی بر سیلیکون انرژی ارائه می‌کنند و عملکرد را در کاربردهای الکترونیکی مختلف، از جمله تقویت RF و اپتوالکترونیک افزایش می‌دهند.
●گپ پهن:گپ وسیع GaN راندمان بالا را در دماهای بالا ممکن می‌سازد، و آن را برای کاربردهای با قدرت و فرکانس بالا ایده‌آل می‌کند.
●دوام:توانایی GaN برای کنترل شرایط شدید (دمای بالا و تشعشع) عملکرد طولانی مدت را در محیط های خشن تضمین می کند.
●سایز کوچک:GaN امکان تولید دستگاه‌های فشرده‌تر و سبک‌تر را در مقایسه با مواد نیمه‌رسانای سنتی فراهم می‌کند و وسایل الکترونیکی کوچکتر و قدرتمندتر را تسهیل می‌کند.
چکیده
نیترید گالیوم (GaN) به عنوان نیمه‌رسانای انتخابی برای کاربردهای پیشرفته‌ای که نیازمند قدرت و کارایی بالا هستند، مانند ماژول‌های جلویی RF، سیستم‌های ارتباطی پرسرعت و روشنایی LED در حال ظهور است. ویفرهای اپیتاکسیال GaN، هنگامی که بر روی بسترهای یاقوت کبود رشد می کنند، ترکیبی از رسانایی حرارتی بالا، ولتاژ شکست بالا و پاسخ فرکانس وسیع را ارائه می دهند که برای عملکرد بهینه در دستگاه های ارتباطی بی سیم، رادارها و پارازیت ها کلیدی هستند. این ویفرها در هر دو قطر 4 و 6 اینچ با ضخامت GaN متفاوت برای برآوردن نیازهای فنی مختلف موجود هستند. ویژگی‌های منحصربه‌فرد GaN آن را به یک کاندیدای اصلی برای آینده الکترونیک قدرت تبدیل می‌کند.
پارامترهای محصول
| ویژگی محصول | مشخصات |
| قطر ویفر | 50 میلی متر، 100 میلی متر، 50.8 میلی متر |
| بستر | یاقوت کبود |
| ضخامت لایه GaN | 0.5 میکرومتر - 10 میکرومتر |
| نوع GaN/دوپینگ | نوع N (نوع P در صورت درخواست موجود است) |
| جهت کریستالی GaN | <0001> |
| نوع پولیش | پولیش یک طرفه (SSP)، پولیش دو طرفه (DSP) |
| ضخامت Al2O3 | 430 میکرومتر - 650 میکرومتر |
| TTV (تغییر ضخامت کل) | ≤ 10 میکرومتر |
| تعظیم | ≤ 10 میکرومتر |
| پیچ و تاب | ≤ 10 میکرومتر |
| مساحت سطح | سطح قابل استفاده > 90٪ |
پرسش و پاسخ
Q1: مزایای کلیدی استفاده از GaN نسبت به نیمه هادی های سنتی مبتنی بر سیلیکون چیست؟
A1: GaN چندین مزیت قابل توجه نسبت به سیلیکون ارائه می دهد، از جمله فاصله باند وسیع تر، که به آن اجازه می دهد ولتاژهای شکست بالاتر را کنترل کند و در دماهای بالاتر به طور موثر عمل کند. این باعث می شود GaN برای کاربردهای پرقدرت و فرکانس بالا مانند ماژول های RF، تقویت کننده های قدرت و LED ها ایده آل باشد. توانایی GaN برای مدیریت چگالی توان بالاتر همچنین دستگاه های کوچکتر و کارآمدتر را در مقایسه با جایگزین های مبتنی بر سیلیکون قادر می سازد.
Q2: آیا GaN روی ویفرهای Sapphire می‌تواند در برنامه‌های MEMS (سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی) استفاده شود؟
A2: بله، ویفرهای GaN on Sapphire برای کاربردهای MEMS مناسب است، به خصوص در مواردی که به قدرت بالا، پایداری دما و نویز کم نیاز است. دوام و کارایی این ماده در محیط‌های با فرکانس بالا، آن را برای دستگاه‌های MEMS مورد استفاده در ارتباطات بی‌سیم، سنجش و سیستم‌های رادار ایده‌آل می‌کند.
Q3: کاربردهای بالقوه GaN در ارتباطات بی سیم چیست؟
A3: GaN به طور گسترده در ماژول‌های جلویی RF برای ارتباطات بی‌سیم، از جمله زیرساخت‌های 5G، سیستم‌های رادار، و پارازیت‌ها استفاده می‌شود. چگالی توان بالا و هدایت حرارتی آن، آن را برای دستگاه‌های پرقدرت و فرکانس بالا عالی می‌کند و عملکرد بهتر و فاکتورهای شکل کوچکتر را در مقایسه با محلول‌های مبتنی بر سیلیکون ممکن می‌سازد.
Q4: زمان های تحویل و حداقل مقدار سفارش برای GaN در ویفرهای Sapphire چقدر است؟
A4: زمان تحویل و حداقل مقدار سفارش بسته به اندازه ویفر، ضخامت GaN و نیازهای خاص مشتری متفاوت است. لطفاً برای اطلاع از قیمت دقیق و در دسترس بودن بر اساس مشخصات خود مستقیماً با ما تماس بگیرید.
Q5: آیا می توانم ضخامت لایه GaN یا سطوح دوپینگ سفارشی را دریافت کنم؟
A5: بله، ما سفارشی سازی ضخامت GaN و سطوح دوپینگ را برای رفع نیازهای برنامه خاص ارائه می دهیم. لطفا مشخصات مورد نظر خود را به ما اطلاع دهید و ما یک راه حل مناسب ارائه خواهیم داد.
نمودار تفصیلی
