لیزر با قدرت لیزر 905 نانومتر با زیرلایه ویفر اپیتکسیال GaAs با قدرت بالا و آرسنید گالیم برای درمان پزشکی با لیزر
ویژگیهای کلیدی ورق اپیتکسیال لیزر GaAs عبارتند از:
۱. تحرک الکترونی بالا: گالیوم آرسنید تحرک الکترونی بالایی دارد که باعث میشود ویفرهای اپیتاکسیال لیزر GaAs کاربردهای خوبی در دستگاههای فرکانس بالا و دستگاههای الکترونیکی پرسرعت داشته باشند.
۲. لومینسانس گذار با شکاف باند مستقیم: به عنوان یک ماده با شکاف باند مستقیم، گالیوم آرسنید میتواند به طور موثری انرژی الکتریکی را در دستگاههای اپتوالکترونیکی به انرژی نوری تبدیل کند و این امر آن را برای ساخت لیزر ایدهآل میکند.
۳. طول موج: لیزرهای GaAs 905 معمولاً در طول موج ۹۰۵ نانومتر عمل میکنند که آنها را برای بسیاری از کاربردها، از جمله زیستپزشکی، مناسب میسازد.
4. راندمان بالا: با راندمان تبدیل فوتوالکتریک بالا، میتواند به طور موثر انرژی الکتریکی را به خروجی لیزر تبدیل کند.
۵. توان خروجی بالا: میتواند به توان خروجی بالایی دست یابد و برای سناریوهای کاربردی که به منبع نور قوی نیاز دارند، مناسب است.
۶. عملکرد حرارتی خوب: ماده GaAs از رسانایی حرارتی خوبی برخوردار است و به کاهش دمای کارکرد لیزر و بهبود پایداری کمک میکند.
۷. قابلیت تنظیم گسترده: توان خروجی را میتوان با تغییر جریان درایو برای انطباق با نیازهای مختلف کاربرد تنظیم کرد.
کاربردهای اصلی قرصهای اپیتکسیال لیزری GaAs عبارتند از:
۱. ارتباط فیبر نوری: از ورق اپیتکسیال لیزر GaAs میتوان برای ساخت لیزر در ارتباط فیبر نوری استفاده کرد تا به انتقال سیگنال نوری با سرعت بالا و مسافت طولانی دست یافت.
۲. کاربردهای صنعتی: در زمینه صنعتی، ورقهای اپتیکی لیزری GaAs میتوانند برای مسافتیابی لیزری، علامتگذاری لیزری و سایر کاربردها مورد استفاده قرار گیرند.
۳. VCSEL: لیزر نشر سطحی حفره عمودی (VCSEL) یک زمینه کاربردی مهم از ورقه اپیتکسیال لیزر GaAs است که به طور گسترده در ارتباطات نوری، ذخیرهسازی نوری و حسگری نوری مورد استفاده قرار میگیرد.
4. میدان مادون قرمز و نقطهای: از ورق اپیتکسیال لیزر GaAs همچنین میتوان برای ساخت لیزرهای مادون قرمز، ژنراتورهای نقطهای و سایر دستگاهها استفاده کرد که نقش مهمی در تشخیص مادون قرمز، نمایش نور و سایر زمینهها دارند.
تهیه ورق اپیتاکسیال لیزری GaAs عمدتاً به فناوری رشد اپیتاکسیال، از جمله رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی (MOCVD)، اپیتاکسیال پرتو مولکولی (MBE) و سایر روشها بستگی دارد. این تکنیکها میتوانند ضخامت، ترکیب و ساختار کریستالی لایه اپیتاکسیال را به طور دقیق کنترل کنند تا ورقهای اپیتاکسیال لیزری GaAs با کیفیت بالا به دست آید.
شرکت XKH ورقهای اپیتکسیال GaAs را در ساختارها و ضخامتهای مختلف و با قابلیت سفارشیسازی ارائه میدهد که طیف وسیعی از کاربردها را در ارتباطات نوری، VCSEL، میدانهای مادون قرمز و میدانهای نقطهای نوری پوشش میدهد. محصولات XKH با تجهیزات پیشرفته MOCVD تولید میشوند تا عملکرد و قابلیت اطمینان بالایی را تضمین کنند. از نظر لجستیک، XKH طیف گستردهای از کانالهای منبع بینالمللی را در اختیار دارد که میتوانند به طور انعطافپذیری تعداد سفارشات را مدیریت کنند و خدمات ارزش افزودهای مانند پالایش و تقسیمبندی را ارائه دهند. فرآیندهای تحویل کارآمد، تحویل به موقع را تضمین کرده و نیازهای مشتری را از نظر کیفیت و زمان تحویل برآورده میکنند. مشتریان میتوانند پس از ورود، پشتیبانی فنی جامع و خدمات پس از فروش را دریافت کنند تا از استفاده روان محصول اطمینان حاصل شود.
نمودار تفصیلی


