ویفر رسانای سیلیکون کارباید 8 اینچی 200 میلی‌متری 4H-N درجه تحقیقاتی
با توجه به خواص فیزیکی و الکترونیکی منحصر به فرد، از ماده نیمه‌هادی ویفر SiC با قطر ۲۰۰ میلی‌متر برای ایجاد دستگاه‌های الکترونیکی با کارایی بالا، دمای بالا، مقاوم در برابر تابش و فرکانس بالا استفاده می‌شود. قیمت زیرلایه SiC با قطر ۸ اینچ به تدریج با پیشرفت فناوری و افزایش تقاضا کاهش می‌یابد. پیشرفت‌های اخیر فناوری منجر به تولید ویفرهای SiC با قطر ۲۰۰ میلی‌متر در مقیاس تولید شده است. مزایای اصلی مواد نیمه‌هادی ویفر SiC در مقایسه با ویفرهای Si و GaAs: قدرت میدان الکتریکی 4H-SiC در طول شکست بهمنی بیش از یک مرتبه بزرگتر از مقادیر مربوطه برای Si و GaAs است. این امر منجر به کاهش قابل توجه مقاومت حالت روشن Ron می‌شود. مقاومت حالت روشن پایین، همراه با چگالی جریان بالا و رسانایی حرارتی، امکان استفاده از قالب بسیار کوچک برای دستگاه‌های قدرت را فراهم می‌کند. رسانایی حرارتی بالای SiC مقاومت حرارتی تراشه را کاهش می‌دهد. خواص الکترونیکی دستگاه‌های مبتنی بر ویفرهای SiC در طول زمان بسیار پایدار و در دما پایدار هستند که قابلیت اطمینان بالای محصولات را تضمین می‌کند. کاربید سیلیکون در برابر تابش شدید بسیار مقاوم است که خواص الکترونیکی تراشه را تخریب نمی‌کند. دمای عملیاتی بالای محدودکننده کریستال (بیش از 6000 درجه سانتیگراد) به شما امکان می‌دهد دستگاه‌های بسیار قابل اعتمادی را برای شرایط عملیاتی سخت و کاربردهای خاص ایجاد کنید. در حال حاضر، ما می‌توانیم ویفرهای SiC با قطر 200 میلی‌متر را به طور پیوسته و مداوم در دسته‌های کوچک عرضه کنیم و مقداری از آن را در انبار داریم.
مشخصات
| شماره | مورد | واحد | تولید | تحقیق | آدمک |
| ۱. پارامترها | |||||
| ۱.۱ | پلی‌تایپ | -- | 4H | 4H | 4H |
| ۱.۲ | جهت گیری سطح | ° | <11-20>4 ± 0.5 | <11-20>4 ± 0.5 | <11-20>4 ± 0.5 |
| ۲. پارامتر الکتریکی | |||||
| ۲.۱ | دوپانت | -- | نیتروژن نوع n | نیتروژن نوع n | نیتروژن نوع n |
| ۲.۲ | مقاومت ویژه | اهم · سانتی‌متر | ۰.۰۱۵ تا ۰.۰۲۵ | 0.01~0.03 | NA |
| ۳. پارامتر مکانیکی | |||||
| ۳.۱ | قطر | mm | ۲۰۰±۰.۲ | ۲۰۰±۰.۲ | ۲۰۰±۰.۲ |
| ۳.۲ | ضخامت | میکرومتر | ۵۰۰±۲۵ | ۵۰۰±۲۵ | ۵۰۰±۲۵ |
| ۳.۳ | جهت گیری شکاف | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| ۳.۴ | عمق شیار | mm | ۱ تا ۱.۵ | ۱ تا ۱.۵ | ۱ تا ۱.۵ |
| ۳.۵ | LTV | میکرومتر | ≤5 (10 میلی‌متر * 10 میلی‌متر) | ≤5 (10 میلی‌متر * 10 میلی‌متر) | ≤10 (10 میلی‌متر * 10 میلی‌متر) |
| ۳.۶ | تی تی وی | میکرومتر | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| ۳.۷ | کمان | میکرومتر | -25~25 | ۴۵- تا ۴۵ | -65~65 |
| ۳.۸ | وارپ | میکرومتر | ≤30 | ۵۰≤ | ≤70 |
| ۳.۹ | ای اف ام | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| ۴. ساختار | |||||
| ۴.۱ | چگالی میکروپایپ | واحد بر سانتی‌متر مربع | ≤۲ | ≤10 | ۵۰≤ |
| ۴.۲ | محتوای فلزی | اتم/سانتی‌متر مربع | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| ۴.۳ | تی اس دی | واحد بر سانتی‌متر مربع | ۵۰۰≤ | ۱۰۰۰≤ | NA |
| ۴.۴ | بی پی دی | واحد بر سانتی‌متر مربع | ۲۰۰۰≤ | ۵۰۰۰≤ | NA |
| ۴.۵ | تد | واحد بر سانتی‌متر مربع | ۷۰۰۰≤ | ≤10000 | NA |
| ۵. کیفیت مثبت | |||||
| ۵.۱ | جلو | -- | Si | Si | Si |
| ۵.۲ | پرداخت سطح | -- | سی-فیس CMP | سی-فیس CMP | سی-فیس CMP |
| ۵.۳ | ذره | ea/ویفر | ≤100 (اندازه ≥0.3μm) | NA | NA |
| ۵.۴ | خراش | ea/ویفر | ≤5، طول کل ≤200 میلی‌متر | NA | NA |
| ۵.۵ | لبه لب‌پریدگی/فرورفتگی/ترک/لکه/آلودگی | -- | هیچکدام | هیچکدام | NA |
| ۵.۶ | نواحی پلی‌تایپ | -- | هیچکدام | مساحت ≤10٪ | مساحت ≤30٪ |
| ۵.۷ | علامت گذاری جلو | -- | هیچکدام | هیچکدام | هیچکدام |
| ۶. کیفیت پشت | |||||
| ۶.۱ | پایان پشتی | -- | سی فیس ام پی | سی فیس ام پی | سی فیس ام پی |
| ۶.۲ | خراش | mm | NA | NA | NA |
| ۶.۳ | لبه نقص پشتی تراشه‌ها/تورفتگی‌ها | -- | هیچکدام | هیچکدام | NA |
| ۶.۴ | زبری پشت | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| ۶.۵ | علامت گذاری به عقب | -- | شکاف | شکاف | شکاف |
| ۷. لبه | |||||
| ۷.۱ | لبه | -- | چمفر | چمفر | چمفر |
| ۸. بسته‌بندی | |||||
| ۸.۱ | بسته بندی | -- | آماده برای استفاده با وکیوم بسته بندی | آماده برای استفاده با وکیوم بسته بندی | آماده برای استفاده با وکیوم بسته بندی |
| ۸.۲ | بسته بندی | -- | چند ویفر بسته بندی کاست | چند ویفر بسته بندی کاست | چند ویفر بسته بندی کاست |
نمودار تفصیلی
