6 اینچ SiC Epitaxiy ویفر N/P نوع سفارشی پذیرفته می شود
فرآیند تهیه ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکون روشی با استفاده از فناوری رسوب بخار شیمیایی (CVD) است.در زیر اصول فنی مربوطه و مراحل فرآیند آماده سازی آمده است:
اصل فنی:
رسوب شیمیایی بخار: با استفاده از گاز ماده خام در فاز گاز، در شرایط واکنش خاص، تجزیه شده و بر روی بستر رسوب می کند تا لایه نازک مورد نظر تشکیل شود.
واکنش فاز گاز: از طریق پیرولیز یا واکنش ترک خوردگی، گازهای مختلف مواد اولیه در فاز گاز در محفظه واکنش از نظر شیمیایی تغییر میکنند.
مراحل فرآیند آماده سازی:
عملیات زیرلایه: برای اطمینان از کیفیت و کریستالی بودن ویفر اپیتاکسیال، بستر تحت تمیز کردن سطح و پیش تصفیه قرار می گیرد.
اشکال زدایی محفظه واکنش: دما، فشار و سرعت جریان محفظه واکنش و سایر پارامترها را برای اطمینان از ثبات و کنترل شرایط واکنش تنظیم کنید.
تامین مواد اولیه: مواد اولیه گاز مورد نیاز را در محفظه واکنش تامین کرده و در صورت لزوم سرعت جریان را مخلوط و کنترل می کند.
فرآیند واکنش: با گرم کردن محفظه واکنش، ماده اولیه گازی در محفظه تحت یک واکنش شیمیایی قرار می گیرد تا رسوب مورد نظر یعنی فیلم کاربید سیلیکون تولید شود.
خنک سازی و تخلیه: در پایان واکنش، دما به تدریج کاهش می یابد تا رسوبات در محفظه واکنش سرد و جامد شوند.
بازپخت و پس پردازش ویفر اپیتاکسیال: ویفر اپیتاکسیال رسوبشده برای بهبود خواص الکتریکی و نوری آن بازپخت و پسفرآوری میشود.
مراحل و شرایط خاص فرآیند تهیه ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکون ممکن است بسته به تجهیزات و الزامات خاص متفاوت باشد.موارد فوق فقط یک جریان و اصل فرآیند کلی است، عملیات خاص باید مطابق با وضعیت واقعی تنظیم و بهینه شود.
نمودار تفصیلی
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)