GaN-On-Sapphire 6 اینچی
GaN 150 میلی متری 6 اینچی روی ویفر اپی لایه سیلیکونی/یاقوت کبود/SiC ویفر همپوست نیترید گالیوم
ویفر زیرلایه یاقوت کبود 6 اینچی یک ماده نیمه هادی با کیفیت بالا است که از لایه هایی از نیترید گالیوم (GaN) روی یک بستر یاقوت کبود رشد می کند. این ماده دارای خواص حمل و نقل الکترونیکی عالی است و برای ساخت دستگاه های نیمه هادی با قدرت و فرکانس بالا ایده آل است.
روش ساخت: فرآیند تولید شامل رشد لایه‌های GaN بر روی یک بستر یاقوت کبود با استفاده از تکنیک‌های پیشرفته مانند رسوب بخار شیمیایی فلزی-آلی (MOCVD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) است. فرآیند رسوب گذاری تحت شرایط کنترل شده برای اطمینان از کیفیت کریستال بالا و فیلم یکنواخت انجام می شود.
برنامه های کاربردی GaN-On-Sapphire 6 اینچی: تراشه های زیرلایه یاقوت کبود 6 اینچی به طور گسترده در ارتباطات مایکروویو، سیستم های رادار، فناوری بی سیم و اپتوالکترونیک استفاده می شوند.
برخی از برنامه های کاربردی رایج عبارتند از
1. تقویت کننده قدرت Rf
2. صنعت روشنایی LED
3. تجهیزات ارتباطی شبکه بی سیم
4. دستگاه های الکترونیکی در محیط دمای بالا
5. دستگاه های الکترونیکی نوری
مشخصات محصول
- اندازه: قطر بستر 6 اینچ (حدود 150 میلی متر) است.
- کیفیت سطح: سطح به خوبی جلا داده شده است تا کیفیت آینه عالی ارائه شود.
- ضخامت: ضخامت لایه GaN را می توان با توجه به نیازهای خاص سفارشی کرد.
- بسته بندی: بستر به دقت با مواد ضد الکتریسیته ساکن بسته بندی می شود تا از آسیب در هنگام حمل و نقل جلوگیری شود.
- لبه های موقعیت یابی: بستر دارای لبه های موقعیت یابی خاصی است که هم ترازی و عملکرد را در حین آماده سازی دستگاه تسهیل می کند.
- سایر پارامترها: پارامترهای خاصی مانند نازکی، مقاومت و غلظت دوپینگ را می توان با توجه به نیاز مشتری تنظیم کرد.
ویفرهای 6 اینچی زیرلایه یاقوت کبود با خواص مواد برتر و کاربردهای متنوع خود یک انتخاب قابل اعتماد برای توسعه دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا در صنایع مختلف هستند.
| بستر | 6 اینچ 1 میلی متر <111> p-نوع Si | 6 اینچ 1 میلی متر <111> p-نوع Si |
| Epi ThickAvg | ~ 5 میلی متر | ~ 7 میلی متر |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| تعظیم | +/-45 میلی متر | +/-45 میلی متر |
| ترک خوردن | <5 میلی متر | <5 میلی متر |
| عمودی BV | > 1000 ولت | > 1400 ولت |
| HEMT Al% | 25-35٪ | 25-35٪ |
| HEMT ThickAvg | 20-30 نانومتر | 20-30 نانومتر |
| درپوش Insitu SiN | 5-60 نانومتر | 5-60 نانومتر |
| غلظت 2 درجه | ~ 1013cm-2 | ~ 1013cm-2 |
| تحرک | ~ 2000 سانتی متر2/در مقابل (<2%) | ~ 2000 سانتی متر2/در مقابل (<2%) |
| Rsh | <330 اهم بر مربع (<2%) | <330 اهم بر مربع (<2%) |
نمودار تفصیلی
