۶ اینچ گالیم نیترید روی یاقوت کبود
ویفر اپی‌تکسیال گالیوم نیترید روی گالیوم نیترید روی ویفر اپی‌تکسیال ۱۵۰ میلی‌متری ۶ اینچی GaN روی سیلیکون/یاقوت کبود/SiC
ویفر زیرلایه یاقوت کبود ۶ اینچی، یک ماده نیمه‌هادی با کیفیت بالا است که از لایه‌های نیترید گالیوم (GaN) رشد یافته بر روی زیرلایه یاقوت کبود تشکیل شده است. این ماده دارای خواص انتقال الکترونیکی عالی است و برای ساخت دستگاه‌های نیمه‌هادی با توان و فرکانس بالا ایده‌آل است.
روش تولید: فرآیند تولید شامل رشد لایه‌های GaN روی زیرلایه یاقوت کبود با استفاده از تکنیک‌های پیشرفته‌ای مانند رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی (MOCVD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) است. فرآیند رسوب‌گذاری تحت شرایط کنترل‌شده انجام می‌شود تا کیفیت کریستال بالا و فیلم یکنواخت تضمین شود.
کاربردهای GaN-On-Sapphire شش اینچی: تراشه‌های زیرلایه یاقوت کبود شش اینچی به طور گسترده در ارتباطات مایکروویو، سیستم‌های رادار، فناوری بی‌سیم و اپتوالکترونیک استفاده می‌شوند.
برخی از کاربردهای رایج عبارتند از
۱. تقویت‌کننده توان RF
۲. صنعت روشنایی LED
۳. تجهیزات ارتباطی شبکه بی‌سیم
۴. دستگاه‌های الکترونیکی در محیط با دمای بالا
۵. دستگاه‌های اپتوالکترونیکی
مشخصات محصول
- اندازه: قطر بستر 6 اینچ (حدود 150 میلی‌متر) است.
- کیفیت سطح: سطح آن به خوبی صیقل داده شده تا کیفیت آینه‌ای عالی ارائه دهد.
- ضخامت: ضخامت لایه GaN را می‌توان با توجه به نیازهای خاص سفارشی کرد.
- بسته بندی: بستر با دقت با مواد ضد الکتریسیته ساکن بسته بندی می شود تا از آسیب در حین حمل و نقل جلوگیری شود.
- لبه‌های موقعیت‌یابی: زیرلایه دارای لبه‌های موقعیت‌یابی خاصی است که هم‌ترازی و عملکرد را در طول آماده‌سازی دستگاه تسهیل می‌کند.
- سایر پارامترها: پارامترهای خاص مانند نازکی، مقاومت ویژه و غلظت آلایش می‌توانند بر اساس نیاز مشتری تنظیم شوند.
ویفرهای زیرلایه یاقوت کبود ۶ اینچی با خواص برتر مواد و کاربردهای متنوع خود، انتخابی مطمئن برای توسعه دستگاه‌های نیمه‌هادی با کارایی بالا در صنایع مختلف هستند.
| بستر | سیلیکون نوع p با قطر 1 میلی‌متر <111> 6 اینچ | سیلیکون نوع p با قطر 1 میلی‌متر <111> 6 اینچ |
| میانگین ضخامت اپی | ~5um | ~7um |
| اپی ضخیم | <2٪ | <2٪ |
| کمان | +/-45um | +/-45um |
| ترک خوردن | <5 میلی‌متر | <5 میلی‌متر |
| عمودی BV | >1000 ولت | >1400 ولت |
| HEMT Al% | ۲۵-۳۵٪ | ۲۵-۳۵٪ |
| میانگین ضخامت HEMT | 20-30 نانومتر | 20-30 نانومتر |
| کلاهک SiN درجا | 5-60 نانومتر | 5-60 نانومتر |
| غلظت 2DEG | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| تحرک | حدود ۲۰۰۰ سانتی‌متر2/Vs (<2%) | حدود ۲۰۰۰ سانتی‌متر2/Vs (<2%) |
| رش | <330 اهم بر مربع (<2%) | <330 اهم بر مربع (<2%) |
نمودار تفصیلی
