بسترهای 3 اینچی Dia76.2mm SiC HPSI Prime Research و Dummy Grade

بستر رسانا: به مقاومت زیرلایه کاربید سیلیکون 15 ~ 30 mΩ-cm اشاره دارد. ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکون رشد یافته از بستر کاربید سیلیکون رسانا را می توان بیشتر به دستگاه های قدرت تبدیل کرد که به طور گسترده در وسایل نقلیه انرژی جدید، فتوولتائیک، شبکه های هوشمند و حمل و نقل ریلی استفاده می شود.

بستر نیمه عایق به مقاومت بالاتر از بستر کاربید سیلیکون 100000Ω-cm اشاره دارد، که عمدتاً در ساخت دستگاه های فرکانس رادیویی مایکروویو نیترید گالیوم استفاده می شود، اساس زمینه ارتباط بی سیم است.

این یک جزء اساسی در زمینه ارتباطات بی سیم است.

زیرلایه‌های رسانا و نیمه عایق کاربید سیلیکون در طیف گسترده‌ای از دستگاه‌های الکترونیکی و دستگاه‌های برق مورد استفاده قرار می‌گیرند که شامل موارد زیر می‌شود اما به آنها محدود نمی‌شود:

دستگاه های نیمه هادی پرقدرت (رسانا): زیرلایه های کاربید سیلیکون دارای قدرت میدان شکست و هدایت حرارتی بالایی هستند و برای تولید ترانزیستورها و دیودهای توان بالا و سایر دستگاه ها مناسب هستند.

دستگاه های الکترونیکی RF (نیمه عایق): بسترهای سیلیکون کاربید دارای سرعت سوئیچینگ و تحمل قدرت بالا هستند، مناسب برای کاربردهایی مانند تقویت کننده های قدرت RF، دستگاه های مایکروویو و سوئیچ های فرکانس بالا.

دستگاه های اپتوالکترونیک (نیمه عایق): بسترهای کاربید سیلیکون دارای شکاف انرژی گسترده و پایداری حرارتی بالا هستند، مناسب برای ساخت دیودهای نوری، سلول های خورشیدی و دیودهای لیزر و سایر دستگاه ها.

سنسورهای دما (رسانا): بسترهای کاربید سیلیکون دارای رسانایی حرارتی و پایداری حرارتی بالایی هستند، مناسب برای تولید سنسورهای دمای بالا و ابزار اندازه گیری دما.

فرآیند تولید و کاربرد زیرلایه‌های رسانا و نیمه عایق کاربید سیلیکون دارای طیف وسیعی از زمینه‌ها و پتانسیل‌ها است که امکانات جدیدی را برای توسعه دستگاه‌های الکترونیکی و دستگاه‌های قدرت فراهم می‌کند.