زیرلایه‌های SiC با قطر 76.2 میلی‌متر و قطر 3 اینچ، HPSI Prime Research و Dummy grade

زیرلایه رسانا: به مقاومت ویژه زیرلایه کاربید سیلیکون 15 تا 30 میلی اهم بر سانتی متر اشاره دارد. ویفر اپیتاکسیال کاربید سیلیکون که از زیرلایه کاربید سیلیکون رسانا رشد می‌کند، می‌تواند در دستگاه‌های قدرت بیشتری ساخته شود که به طور گسترده در وسایل نقلیه انرژی جدید، فتوولتائیک‌ها، شبکه‌های هوشمند و حمل و نقل ریلی مورد استفاده قرار می‌گیرند.

زیرلایه نیمه عایق به زیرلایه کاربید سیلیکون با مقاومت ویژه بالاتر از 100000 اهم بر سانتی‌متر اشاره دارد که عمدتاً در ساخت دستگاه‌های فرکانس رادیویی مایکروویو نیترید گالیم استفاده می‌شود و اساس حوزه ارتباطات بی‌سیم است.

این یک جزء اساسی در زمینه ارتباطات بی‌سیم است.

زیرلایه‌های رسانا و نیمه عایق کاربید سیلیکون در طیف گسترده‌ای از دستگاه‌های الکترونیکی و دستگاه‌های قدرت، از جمله موارد زیر (و نه محدود به آنها) استفاده می‌شوند:

ادوات نیمه‌هادی پرقدرت (رسانا): زیرلایه‌های کاربید سیلیکون دارای قدرت میدان شکست و رسانایی حرارتی بالایی هستند و برای تولید ترانزیستورها و دیودهای قدرت پرقدرت و سایر ادوات مناسب می‌باشند.

دستگاه‌های الکترونیکی RF (نیمه عایق): زیرلایه‌های سیلیکون کاربید سرعت سوئیچینگ و تحمل توان بالایی دارند و برای کاربردهایی مانند تقویت‌کننده‌های توان RF، دستگاه‌های مایکروویو و سوئیچ‌های فرکانس بالا مناسب هستند.

دستگاه‌های اپتوالکترونیکی (نیمه عایق): زیرلایه‌های کاربید سیلیکون دارای شکاف انرژی وسیع و پایداری حرارتی بالا هستند که برای ساخت فوتودیودها، سلول‌های خورشیدی و دیودهای لیزری و سایر دستگاه‌ها مناسب هستند.

حسگرهای دما (رسانا): زیرلایه‌های کاربید سیلیکون رسانایی حرارتی و پایداری حرارتی بالایی دارند که برای تولید حسگرهای دمای بالا و ابزارهای اندازه‌گیری دما مناسب است.

فرآیند تولید و کاربرد زیرلایه‌های رسانا و نیمه عایق کاربید سیلیکون طیف وسیعی از زمینه‌ها و پتانسیل‌ها را دارد و امکانات جدیدی را برای توسعه دستگاه‌های الکترونیکی و دستگاه‌های قدرت فراهم می‌کند.