ضخامت زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si از ۶ اینچ تا ۸ اینچ، ۰.۳ تا ۵۰ میکرومتر، جنس مواد Si/SiC/Sapphire

شرح مختصر:

زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با ابعاد ۶ تا ۸ اینچ، ماده‌ای با کارایی بالا است که لایه‌های نازک تک کریستالی لیتیوم نیوبات (LN) را با زیرلایه‌های سیلیکونی (Si) با ضخامت‌های بین ۰.۳ میکرومتر تا ۵۰ میکرومتر ادغام می‌کند. این زیرلایه برای ساخت نیمه‌هادی‌های پیشرفته و دستگاه‌های اپتوالکترونیکی طراحی شده است. این زیرلایه با استفاده از تکنیک‌های پیشرفته پیوند یا رشد اپیتاکسیال، کیفیت کریستالی بالای لایه نازک LN را تضمین می‌کند و در عین حال از اندازه بزرگ ویفر (۶ تا ۸ اینچ) زیرلایه سیلیکونی برای افزایش راندمان تولید و مقرون به صرفه بودن استفاده می‌کند.
در مقایسه با مواد LN توده‌ای مرسوم، زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با اندازه ۶ تا ۸ اینچ، تطابق حرارتی و پایداری مکانیکی بهتری ارائه می‌دهد و آن را برای پردازش در سطح ویفر در مقیاس بزرگ مناسب می‌سازد. علاوه بر این، می‌توان مواد پایه جایگزین مانند SiC یا یاقوت کبود را برای برآورده کردن نیازهای کاربردی خاص، از جمله دستگاه‌های RF با فرکانس بالا، فوتونیک‌های یکپارچه و حسگرهای MEMS، انتخاب کرد.

برای ما ایمیل ارسال کنید

جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

پارامترهای فنی

0.3-50μm LN/LT روی عایق‌ها
لایه بالایی
قطر	۶-۸ اینچ
جهت گیری	ایکس، زد، وای-۴۲ و غیره
مواد	ال تی، ال ان
ضخامت	0.3-50μm
بستر (سفارشی)
مواد	سیلیسیم، کاربید سیلیسیم، یاقوت کبود، اسپینل، کوارتز

ویژگی‌های کلیدی

زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با ابعاد ۶ تا ۸ اینچ، به دلیل خواص منحصر به فرد مواد و پارامترهای قابل تنظیم خود، قابلیت کاربرد گسترده‌ای در صنایع نیمه‌هادی و اپتوالکترونیک دارد:

۱. سازگاری با ویفرهای بزرگ: اندازه ویفر ۶ تا ۸ اینچی، ادغام یکپارچه با خطوط تولید نیمه‌هادی موجود (مثلاً فرآیندهای CMOS) را تضمین می‌کند، هزینه‌های تولید را کاهش می‌دهد و تولید انبوه را امکان‌پذیر می‌سازد.

۲. کیفیت کریستالی بالا: تکنیک‌های بهینه‌شده‌ی اپیتاکسیال یا پیوند، چگالی کم نقص در لایه نازک LN را تضمین می‌کنند و آن را برای مدولاتورهای نوری با کارایی بالا، فیلترهای موج آکوستیک سطحی (SAW) و سایر دستگاه‌های دقیق ایده‌آل می‌کنند.

۳. ضخامت قابل تنظیم (۰.۳-۵۰ میکرومتر): لایه‌های بسیار نازک LN (<۱ میکرومتر) برای تراشه‌های فوتونیک مجتمع مناسب هستند، در حالی که لایه‌های ضخیم‌تر (۱۰-۵۰ میکرومتر) از دستگاه‌های RF با توان بالا یا حسگرهای پیزوالکتریک پشتیبانی می‌کنند.

۴. گزینه‌های چندگانه برای زیرلایه: علاوه بر Si، SiC (رسانایی حرارتی بالا) یا یاقوت کبود (عایق بالا) می‌توانند به عنوان مواد پایه برای برآورده کردن نیازهای کاربردهای فرکانس بالا، دمای بالا یا توان بالا انتخاب شوند.

۵. پایداری حرارتی و مکانیکی: زیرلایه سیلیکونی، پشتیبانی مکانیکی قوی را فراهم می‌کند، تاب برداشتن یا ترک خوردن را در حین پردازش به حداقل می‌رساند و عملکرد دستگاه را بهبود می‌بخشد.

این ویژگی‌ها، زیرلایه کامپوزیتی ۶ تا ۸ اینچی LN-on-Si را به عنوان ماده‌ای ترجیحی برای فناوری‌های پیشرفته‌ای مانند ارتباطات 5G، LiDAR و اپتیک کوانتومی قرار می‌دهد.

کاربردهای اصلی

زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با ابعاد ۶ تا ۸ اینچ به دلیل خواص استثنایی الکترواپتیکی، پیزوالکتریک و آکوستیک خود، به طور گسترده در صنایع پیشرفته مورد استفاده قرار می‌گیرد:

۱. ارتباطات نوری و فوتونیک مجتمع: مدولاتورهای الکترواپتیکی پرسرعت، موجبرها و مدارهای مجتمع فوتونیکی (PIC) را فعال می‌کند و به نیازهای پهنای باند مراکز داده و شبکه‌های فیبر نوری پاسخ می‌دهد.

دستگاه‌های RF 2.5G/6G: ضریب پیزوالکتریک بالای LN2 آن را برای فیلترهای موج آکوستیک سطحی (SAW) و موج آکوستیک حجمی (BAW) ایده‌آل می‌کند و پردازش سیگنال را در ایستگاه‌های پایه 5G و دستگاه‌های تلفن همراه افزایش می‌دهد.

۳.MEMS و حسگرها: اثر پیزوالکتریک LN-on-Si، شتاب‌سنج‌های با حساسیت بالا، حسگرهای زیستی و مبدل‌های فراصوت را برای کاربردهای پزشکی و صنعتی تسهیل می‌کند.

۴.فناوری‌های کوانتومی: به عنوان یک ماده نوری غیرخطی، لایه‌های نازک LN در منابع نور کوانتومی (مثلاً جفت فوتون‌های درهم‌تنیده) و تراشه‌های کوانتومی یکپارچه استفاده می‌شوند.

۵. لیزرها و اپتیک غیرخطی: لایه‌های فوق نازک LN، دستگاه‌های تولید هارمونیک دوم (SHG) و نوسان پارامتری نوری (OPO) کارآمد را برای پردازش لیزری و تجزیه و تحلیل طیف‌سنجی فراهم می‌کنند.

زیرلایه کامپوزیتی استاندارد ۶ تا ۸ اینچی LN-on-Si امکان تولید این دستگاه‌ها را در مقیاس بزرگ فراهم می‌کند و هزینه‌های تولید را به میزان قابل توجهی کاهش می‌دهد.

سفارشی‌سازی و خدمات

ما خدمات پشتیبانی فنی و سفارشی‌سازی جامعی را برای زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si از 6 تا 8 اینچ ارائه می‌دهیم تا نیازهای متنوع تحقیق و توسعه و تولید را برآورده کنیم:

۱. ساخت سفارشی: ضخامت لایه نازک LN (0.3-50 میکرومتر)، جهت‌گیری کریستال (برش X/برش Y) و جنس زیرلایه (Si/SiC/یاقوت کبود) را می‌توان برای بهینه‌سازی عملکرد دستگاه تنظیم کرد.

۲. پردازش در سطح ویفر: عرضه عمده ویفرهای ۶ و ۸ اینچی، شامل خدمات پشتیبانی مانند برش، پرداخت و پوشش‌دهی، که تضمین می‌کند زیرلایه‌ها برای ادغام دستگاه آماده هستند.

۳. مشاوره و آزمایش فنی: مشخصه‌یابی مواد (مثلاً XRD، AFM)، آزمایش عملکرد الکترواپتیکی و پشتیبانی از شبیه‌سازی دستگاه برای تسریع اعتبارسنجی طراحی.

ماموریت ما این است که زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با اندازه ۶ تا ۸ اینچ را به عنوان یک راه حل ماده اصلی برای کاربردهای اپتوالکترونیکی و نیمه‌هادی ارائه دهیم و از تحقیق و توسعه تا تولید انبوه، پشتیبانی کاملی ارائه دهیم.

نتیجه‌گیری

زیرلایه کامپوزیتی LN-on-Si با اندازه ۶ تا ۸ اینچ، با اندازه ویفر بزرگ، کیفیت برتر مواد و تطبیق‌پذیری بالا، پیشرفت‌هایی را در ارتباطات نوری، 5G RF و فناوری‌های کوانتومی ایجاد می‌کند. چه برای تولید با حجم بالا و چه برای راه‌حل‌های سفارشی، ما زیرلایه‌های قابل اعتماد و خدمات مکمل را برای توانمندسازی نوآوری‌های فناوری ارائه می‌دهیم.