ویفر زیرلایه SiC 4H-N 8 اینچ سیلیکون کاربید ساختگی درجه پژوهشی ضخامت 500um

هنگام انتخاب ویفرها و بسترهای کاربید سیلیکون (SiC)، عوامل مختلفی باید در نظر گرفته شود. در اینجا چند معیار مهم وجود دارد:

نوع مواد: نوع مواد SiC را که مناسب کاربرد شماست، تعیین کنید، مانند 4H-SiC یا 6H-SiC. متداول ترین ساختار کریستالی 4H-SiC است.

نوع دوپینگ: تصمیم بگیرید که آیا به بستر SiC دوپ شده یا دوپ نشده نیاز دارید. انواع دوپینگ رایج بسته به نیازهای خاص شما، نوع N (n-doped) یا نوع P (p-doped) هستند.

کیفیت کریستال: کیفیت کریستال ویفرها یا بسترهای SiC را ارزیابی کنید. کیفیت مورد نظر با پارامترهایی مانند تعداد عیوب، جهت کریستالوگرافی و زبری سطح تعیین می شود.

قطر ویفر: اندازه ویفر مناسب را بر اساس کاربرد خود انتخاب کنید. اندازه های رایج شامل 2 اینچ، 3 اینچ، 4 اینچ و 6 اینچ است. هر چه قطر بزرگتر باشد، بازده بیشتری می توانید در هر ویفر بدست آورید.

ضخامت: ضخامت مورد نظر ویفرها یا بسترهای SiC را در نظر بگیرید. گزینه های ضخامت معمولی از چند میکرومتر تا چند صد میکرومتر متغیر است.

جهت گیری: جهت کریستالوگرافی را تعیین کنید که با الزامات برنامه شما مطابقت دارد. جهت گیری های رایج عبارتند از (0001) برای 4H-SiC و (0001) یا (0001̅) برای 6H-SiC.

پایان سطح: سطح ویفرها یا بسترهای SiC را ارزیابی کنید. سطح باید صاف، صیقلی و عاری از خراش یا آلودگی باشد.

شهرت تامین کننده: یک تامین کننده معتبر با تجربه گسترده در تولید ویفرها و بسترهای SiC با کیفیت بالا را انتخاب کنید. عواملی مانند قابلیت های تولید، کنترل کیفیت و نظرات مشتریان را در نظر بگیرید.

هزینه: پیامدهای هزینه، از جمله قیمت هر ویفر یا بستر و هر گونه هزینه سفارشی سازی اضافی را در نظر بگیرید.

ارزیابی دقیق این عوامل و مشورت با کارشناسان یا تامین کنندگان صنعت برای اطمینان از اینکه ویفرها و بسترهای SiC انتخابی با نیازهای کاربردی خاص شما مطابقت دارند، مهم است.