ویفر زیرلایه SiC 8 اینچی 4H-N سیلیکون کاربید Dummy Research grade با ضخامت 500 میکرومتر

هنگام انتخاب ویفرها و زیرلایه‌های کاربید سیلیکون (SiC)، عوامل مختلفی باید در نظر گرفته شوند. در اینجا به برخی از معیارهای مهم اشاره می‌کنیم:

نوع ماده: نوع ماده SiC را که برای کاربرد شما مناسب است، مانند 4H-SiC یا 6H-SiC، تعیین کنید. رایج‌ترین ساختار کریستالی مورد استفاده 4H-SiC است.

نوع آلایش: تصمیم بگیرید که آیا به زیرلایه SiC آلایش شده یا آلایش نشده نیاز دارید. انواع آلایش رایج، بسته به نیازهای خاص شما، نوع N (آلایش شده با n) یا نوع P (آلایش شده با p) هستند.

کیفیت کریستال: کیفیت کریستال ویفرها یا زیرلایه‌های SiC را ارزیابی کنید. کیفیت مورد نظر با پارامترهایی مانند تعداد نقص‌ها، جهت‌گیری کریستالوگرافی و زبری سطح تعیین می‌شود.

قطر ویفر: اندازه ویفر مناسب را بر اساس کاربرد خود انتخاب کنید. اندازه‌های رایج شامل ۲ اینچ، ۳ اینچ، ۴ اینچ و ۶ اینچ است. هرچه قطر بزرگتر باشد، می‌توانید به ازای هر ویفر بازده بیشتری داشته باشید.

ضخامت: ضخامت مورد نظر ویفرها یا زیرلایه‌های SiC را در نظر بگیرید. گزینه‌های ضخامت معمول از چند میکرومتر تا چند صد میکرومتر متغیر است.

جهت‌گیری: جهت‌گیری کریستالوگرافی را که با الزامات کاربرد شما مطابقت دارد، تعیین کنید. جهت‌گیری‌های رایج شامل (0001) برای 4H-SiC و (0001) یا (0001̅) برای 6H-SiC است.

پرداخت سطح: پرداخت سطح ویفرها یا زیرلایه‌های SiC را ارزیابی کنید. سطح باید صاف، صیقلی و عاری از خراش یا آلودگی باشد.

اعتبار تأمین‌کننده: یک تأمین‌کننده معتبر با تجربه گسترده در تولید ویفرها و زیرلایه‌های SiC با کیفیت بالا انتخاب کنید. عواملی مانند قابلیت‌های تولید، کنترل کیفیت و نظرات مشتریان را در نظر بگیرید.

هزینه: پیامدهای هزینه، از جمله قیمت هر ویفر یا زیرلایه و هرگونه هزینه سفارشی‌سازی اضافی را در نظر بگیرید.

ارزیابی دقیق این عوامل و مشورت با متخصصان صنعت یا تأمین‌کنندگان برای اطمینان از اینکه ویفرها و زیرلایه‌های SiC انتخاب‌شده، الزامات کاربرد خاص شما را برآورده می‌کنند، بسیار مهم است.