GaN 200 میلی‌متری و 8 اینچی روی زیرلایه ویفر اپی‌لایه یاقوت کبود
معرفی محصول
زیرلایه ۸ اینچی GaN-on-Sapphire یک ماده نیمه‌هادی با کیفیت بالا است که از یک لایه گالیوم نیترید (GaN) رشد یافته روی زیرلایه یاقوت کبود تشکیل شده است. این ماده خواص انتقال الکترونیکی عالی ارائه می‌دهد و برای ساخت دستگاه‌های نیمه‌هادی با توان و فرکانس بالا ایده‌آل است.
روش تولید
فرآیند تولید شامل رشد اپیتاکسیال یک لایه GaN روی زیرلایه یاقوت کبود با استفاده از تکنیک‌های پیشرفته‌ای مانند رسوب بخار شیمیایی فلز-آلی (MOCVD) یا اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) است. رسوب‌گذاری تحت شرایط کنترل‌شده انجام می‌شود تا کیفیت بالای کریستال و یکنواختی فیلم تضمین شود.
کاربردها
زیرلایه 8 اینچی GaN-on-Sapphire کاربردهای گسترده‌ای در زمینه‌های مختلف از جمله ارتباطات مایکروویو، سیستم‌های راداری، فناوری بی‌سیم و اپتوالکترونیک دارد. برخی از کاربردهای رایج عبارتند از:
۱. تقویت‌کننده‌های توان RF
۲. صنعت روشنایی LED
۳. دستگاه‌های ارتباطی شبکه بی‌سیم
۴. دستگاه‌های الکترونیکی برای محیط‌های با دمای بالا
5. Oدستگاه‌های پتوالکترونیکی
مشخصات محصول
ابعاد: قطر بستر ۸ اینچ (۲۰۰ میلی‌متر) است.
- کیفیت سطح: سطح تا حد بالایی صیقل داده شده و کیفیتی آینه‌ای و عالی از خود نشان می‌دهد.
- ضخامت: ضخامت لایه GaN را می‌توان بر اساس الزامات خاص سفارشی کرد.
- بسته‌بندی: زیرلایه با دقت در مواد ضد الکتریسیته ساکن بسته‌بندی می‌شود تا از آسیب در حین حمل و نقل جلوگیری شود.
- تخت جهت‌گیری: زیرلایه دارای یک تخت جهت‌گیری خاص است تا به ترازبندی و جابجایی ویفر در طول فرآیندهای ساخت دستگاه کمک کند.
- سایر پارامترها: مشخصات ضخامت، مقاومت ویژه و غلظت ناخالصی می‌تواند طبق نیاز مشتری تنظیم شود.
با توجه به خواص برتر مواد و کاربردهای متنوع آن، زیرلایه 8 اینچی GaN-on-Sapphire انتخابی مطمئن برای توسعه دستگاه‌های نیمه‌هادی با کارایی بالا در صنایع مختلف است.
به جز GaN-On-Sapphire، ما همچنین می‌توانیم در زمینه کاربردهای دستگاه‌های قدرت، خانواده محصولات شامل ویفرهای اپیتاکسیال AlGaN/GaN-on-Si 8 اینچی و ویفرهای اپیتاکسیال AlGaN/GaN-on-Si 8 اینچی با پوشش P را ارائه دهیم. در عین حال، ما کاربرد فناوری پیشرفته اپیتاکسی GaN 8 اینچی خود را در زمینه مایکروویو نوآوری کردیم و یک ویفر اپیتاکسی AlGaN/GAN-on-HR Si 8 اینچی را توسعه دادیم که عملکرد بالا را با اندازه بزرگ، هزینه کم و سازگار با پردازش استاندارد دستگاه‌های 8 اینچی ترکیب می‌کند. علاوه بر نیترید گالیوم مبتنی بر سیلیکون، ما همچنین یک خط تولید ویفرهای اپیتاکسیال AlGaN/GaN-on-SiC داریم تا نیاز مشتریان به مواد اپیتاکسیال گالیوم نیترید مبتنی بر سیلیکون را برآورده کنیم.
نمودار تفصیلی
