اخبار
-
تجهیزات برش لیزری با دقت بالا برای ویفرهای SiC 8 اینچی: فناوری اصلی برای پردازش ویفر SiC در آینده
کاربید سیلیکون (SiC) نه تنها یک فناوری حیاتی برای دفاع ملی است، بلکه یک ماده محوری برای صنایع خودروسازی و انرژی جهانی نیز می‌باشد. به عنوان اولین گام حیاتی در پردازش تک بلور SiC، برش ویفر مستقیماً کیفیت نازک‌کاری و صیقل‌کاری بعدی را تعیین می‌کند. ...ادامه مطلب -
شیشه‌های موجبر AR سیلیکون کاربید با درجه نوری: تهیه زیرلایه‌های نیمه عایق با خلوص بالا
در پس زمینه انقلاب هوش مصنوعی، عینک‌های واقعیت افزوده (AR) به تدریج در حال ورود به آگاهی عمومی هستند. عینک‌های واقعیت افزوده به عنوان الگویی که به طور یکپارچه دنیای مجازی و واقعی را با هم ترکیب می‌کند، با دستگاه‌های واقعیت مجازی متفاوت هستند و به کاربران اجازه می‌دهند هم تصاویر دیجیتالی و هم نور محیط را درک کنند...ادامه مطلب -
رشد ناهم‌اپیتکسی 3C-SiC روی زیرلایه‌های سیلیکونی با جهت‌گیری‌های مختلف
۱. مقدمه علیرغم دهه‌ها تحقیق، هترواپیتکسیال ۳C-SiC رشد یافته بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی هنوز به کیفیت کریستالی کافی برای کاربردهای الکترونیکی صنعتی دست نیافته است. رشد معمولاً بر روی زیرلایه‌های Si(100) یا Si(111) انجام می‌شود که هر کدام چالش‌های متفاوتی را ارائه می‌دهند: ناهم‌فاز شدن...ادامه مطلب -
سرامیک‌های سیلیکون کاربید در مقابل سیلیکون کاربید نیمه‌رسانا: همان ماده با دو سرنوشت متمایز
کاربید سیلیکون (SiC) یک ترکیب قابل توجه است که هم در صنعت نیمه هادی و هم در محصولات سرامیکی پیشرفته یافت می‌شود. این اغلب منجر به سردرگمی در بین افراد عادی می‌شود که ممکن است آنها را با یک نوع محصول اشتباه بگیرند. در واقعیت، در حالی که ترکیب شیمیایی یکسانی دارند، SiC ...ادامه مطلب -
پیشرفت‌ها در فناوری‌های آماده‌سازی سرامیک کاربید سیلیکون با خلوص بالا
سرامیک‌های کاربید سیلیکون (SiC) با خلوص بالا به دلیل رسانایی حرارتی استثنایی، پایداری شیمیایی و استحکام مکانیکی، به عنوان مواد ایده‌آل برای اجزای حیاتی در صنایع نیمه‌هادی، هوافضا و شیمیایی ظهور کرده‌اند. با افزایش تقاضا برای مواد با کارایی بالا و کم ...ادامه مطلب -
اصول فنی و فرآیندهای ویفرهای اپیتکسیال LED
از اصل کار LEDها، مشخص است که ماده ویفر اپیتاکسیال، جزء اصلی یک LED است. در واقع، پارامترهای کلیدی اپتوالکترونیکی مانند طول موج، روشنایی و ولتاژ رو به جلو تا حد زیادی توسط ماده اپیتاکسیال تعیین می‌شوند. فناوری و تجهیزات ویفر اپیتاکسیال...ادامه مطلب -
ملاحظات کلیدی برای تهیه تک کریستال کاربید سیلیکون با کیفیت بالا
روش‌های اصلی برای تهیه تک بلور سیلیکون عبارتند از: انتقال بخار فیزیکی (PVT)، رشد محلول از بالا (TSSG) و رسوب بخار شیمیایی در دمای بالا (HT-CVD). در میان این روش‌ها، روش PVT به دلیل تجهیزات ساده، سهولت ... به طور گسترده در تولید صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد.ادامه مطلب -
لیتیوم نیوبات روی عایق (LNOI): محرک پیشرفت مدارهای مجتمع فوتونی
مقدمه با الهام از موفقیت مدارهای مجتمع الکترونیکی (EIC)، حوزه مدارهای مجتمع فوتونیک (PIC) از زمان آغاز به کار خود در سال ۱۹۶۹ در حال تکامل بوده است. با این حال، برخلاف EICها، توسعه یک پلتفرم جهانی که قادر به پشتیبانی از کاربردهای متنوع فوتونیک باشد، همچنان ...ادامه مطلب -
ملاحظات کلیدی برای تولید تک بلورهای کاربید سیلیکون (SiC) با کیفیت بالا
ملاحظات کلیدی برای تولید تک بلورهای کاربید سیلیکون (SiC) با کیفیت بالا روش‌های اصلی رشد تک بلورهای کاربید سیلیکون شامل انتقال بخار فیزیکی (PVT)، رشد محلول از بالا (TSSG) و رشد شیمیایی در دمای بالا ...ادامه مطلب -
فناوری ویفر اپیتکسیال LED نسل بعدی: تأمین انرژی آینده روشنایی
ال‌ای‌دی‌ها دنیای ما را روشن می‌کنند و در قلب هر ال‌ای‌دی با کارایی بالا، ویفر اپیتاکسیال قرار دارد - یک جزء حیاتی که روشنایی، رنگ و کارایی آن را تعریف می‌کند. با تسلط بر علم رشد اپیتاکسیال، ...ادامه مطلب -
پایان یک دوره؟ ورشکستگی ولف‌اسپید، چشم‌انداز SiC را تغییر می‌دهد
ورشکستگی ولف‌اسپید، نقطه عطفی بزرگ برای صنعت نیمه‌هادی SiC است. ولف‌اسپید، یکی از رهبران قدیمی فناوری کاربید سیلیکون (SiC)، این هفته اعلام ورشکستگی کرد و تغییر قابل توجهی را در چشم‌انداز جهانی نیمه‌هادی SiC نشان داد. این شرکت...ادامه مطلب -
تحلیل جامع تشکیل تنش در کوارتز ذوب‌شده: علل، مکانیسم‌ها و اثرات
۱. تنش حرارتی در حین خنک شدن (علت اصلی) کوارتز ذوب شده تحت شرایط دمایی غیر یکنواخت تنش ایجاد می‌کند. در هر دمای معین، ساختار اتمی کوارتز ذوب شده به یک پیکربندی فضایی نسبتاً "بهینه" می‌رسد. با تغییر دما، اسپک اتمی...ادامه مطلب