اخبار
-
چرا ویفرهای سیلیکونی دارای بریدگی یا شیار هستند؟
ویفرهای سیلیکونی، پایه و اساس مدارهای مجتمع و دستگاههای نیمههادی، دارای یک ویژگی جذاب هستند - یک لبه صاف یا یک بریدگی کوچک در کنار آن. این جزئیات کوچک در واقع هدف مهمی برای جابجایی ویفر و ساخت دستگاه دارد. به عنوان یک تولیدکننده پیشرو ویفر...ادامه مطلب -
لب پریدگی ویفر چیست و چگونه میتوان آن را حل کرد؟
لب پریدگی ویفر چیست و چگونه میتوان آن را حل کرد؟ لب پریدگی ویفر یک فرآیند حیاتی در تولید نیمههادی است و تأثیر مستقیمی بر کیفیت و عملکرد نهایی تراشه دارد. در تولید واقعی، لب پریدگی ویفر - به ویژه لب پریدگی قسمت جلویی و لب پریدگی قسمت پشتی - یک مشکل مکرر و جدی است ...ادامه مطلب -
زیرلایههای یاقوت کبود طرحدار در مقابل زیرلایههای یاقوت کبود مسطح: مکانیسمها و تأثیر آنها بر راندمان استخراج نور در LEDهای مبتنی بر GaN
در دیودهای ساطع کننده نور (LED) مبتنی بر GaN، پیشرفت مداوم در تکنیکهای رشد اپیتاکسیال و معماری دستگاه، بازده کوانتومی داخلی (IQE) را به طور فزایندهای به حداکثر نظری خود نزدیک کرده است. با وجود این پیشرفتها، عملکرد کلی نور LEDها همچنان اساسی است...ادامه مطلب -
درک ویفرهای SiC نیمه عایق در مقابل نوع N برای کاربردهای RF
کاربید سیلیکون (SiC) به عنوان یک ماده حیاتی در الکترونیک مدرن، به ویژه برای کاربردهایی که شامل محیطهای با توان بالا، فرکانس بالا و دمای بالا هستند، ظهور کرده است. خواص برتر آن - مانند شکاف نواری وسیع، رسانایی حرارتی بالا و ولتاژ شکست بالا - SiC را به یک ماده ایدهآل تبدیل کرده است...ادامه مطلب -
چگونه هزینه تهیه ویفرهای کاربید سیلیکون با کیفیت بالا را بهینه کنیم
چرا ویفرهای سیلیکون کاربید گران به نظر میرسند - و چرا این دیدگاه ناقص است؟ ویفرهای سیلیکون کاربید (SiC) اغلب به عنوان مواد ذاتاً گران در تولید نیمههادیهای قدرت تلقی میشوند. اگرچه این برداشت کاملاً بیاساس نیست، اما ناقص نیز هست. چالش واقعی این نیست که ...ادامه مطلب -
چگونه میتوانیم یک ویفر را تا حد «فوقالعاده نازک» نازک کنیم؟
چگونه میتوانیم یک ویفر را تا حد "فوق نازک" نازک کنیم؟ ویفر فوق نازک دقیقاً چیست؟ محدوده ضخامتهای معمول (ویفرهای ۸ اینچ/۱۲ اینچ به عنوان مثال) ویفر استاندارد: ۶۰۰-۷۷۵ میکرومتر ویفر نازک: ۱۵۰-۲۰۰ میکرومتر ویفر فوق نازک: زیر ۱۰۰ میکرومتر ویفر بسیار نازک: ۵۰ میکرومتر، ۳۰ میکرومتر یا حتی ۱۰-۲۰ میکرومتر چرا...ادامه مطلب -
چگونه SiC و GaN بستهبندی نیمههادیهای قدرت را متحول میکنند
صنعت نیمههادیهای قدرت در حال گذر از یک تغییر دگرگونکننده است که ناشی از پذیرش سریع مواد با شکاف باند وسیع (WBG) است. کاربید سیلیکون (SiC) و نیترید گالیوم (GaN) در خط مقدم این انقلاب قرار دارند و دستگاههای قدرت نسل بعدی را با راندمان بالاتر، سوئیچینگ سریعتر و ... قادر میسازند.ادامه مطلب -
FOUP بدون و فرم کامل FOUP: راهنمای کامل برای مهندسان نیمههادی
FOUP مخفف عبارت Front-Opening Unified Pod است، یک محفظه استاندارد که در تولید نیمههادیهای مدرن برای حمل و نقل و نگهداری ایمن ویفرها استفاده میشود. با افزایش اندازه ویفرها و حساستر شدن فرآیندهای ساخت، حفظ محیطی تمیز و کنترلشده برای ویفرها ...ادامه مطلب -
از سیلیکون تا کاربید سیلیکون: چگونه مواد با رسانایی حرارتی بالا، بستهبندی تراشه را از نو تعریف میکنند
سیلیکون مدتهاست که سنگ بنای فناوری نیمههادیها بوده است. با این حال، با افزایش تراکم ترانزیستورها و تولید چگالی توان بالاتر توسط پردازندهها و ماژولهای قدرت مدرن، مواد مبتنی بر سیلیکون با محدودیتهای اساسی در مدیریت حرارتی و پایداری مکانیکی مواجه هستند. سیلیکون ...ادامه مطلب -
چرا ویفرهای SiC با خلوص بالا برای الکترونیک قدرت نسل بعدی حیاتی هستند؟
۱. از سیلیکون به کاربید سیلیکون: تغییر الگو در الکترونیک قدرت بیش از نیم قرن است که سیلیکون ستون فقرات الکترونیک قدرت بوده است. با این حال، با حرکت وسایل نقلیه الکتریکی، سیستمهای انرژی تجدیدپذیر، مراکز داده هوش مصنوعی و پلتفرمهای هوافضا به سمت ولتاژهای بالاتر، دمای بالاتر...ادامه مطلب -
تفاوت بین 4H-SiC و 6H-SiC: پروژه شما به کدام زیرلایه نیاز دارد؟
کاربید سیلیکون (SiC) دیگر فقط یک نیمههادی خاص نیست. خواص الکتریکی و حرارتی استثنایی آن، آن را برای الکترونیک قدرت نسل بعدی، اینورترهای خودروهای برقی، دستگاههای RF و کاربردهای فرکانس بالا ضروری میکند. در میان پلیتایپهای SiC، 4H-SiC و 6H-SiC بر بازار تسلط دارند - اما ...ادامه مطلب -
چه چیزی یک زیرلایه یاقوت کبود با کیفیت بالا را برای کاربردهای نیمه هادی میسازد؟
مقدمه زیرلایههای یاقوت کبود نقش اساسی در تولید نیمههادیهای مدرن، به ویژه در الکترونیک نوری و کاربردهای دستگاههای با شکاف باند وسیع، ایفا میکنند. یاقوت کبود به عنوان یک شکل تک بلوری از اکسید آلومینیوم (Al₂O₃)، ترکیبی منحصر به فرد از سختی مکانیکی، پایداری حرارتی...ادامه مطلب